[发明专利]锗窗及其制造方法以及气密性盒体、红外线传感装置

权利要求书

1.一种锗窗，包括锗窗本体(110)和金属化层(120)，该金属化层(120)是以该锗窗本体(110)为基在其下表面边缘部分依次层积的由金形成的底层(10)、中间层(20)和抗氧化外层(30)，其特征在于，所述中间层(20)包括依次层积在底层(10)上的第一镍层(21)、第一钛层(22)和第二镍层(23)。

2.如权利要求1所述的锗窗，其特征在于：所述抗氧化外层(30)包括位次层积在所述第二镍层(23)上的钯层(31)和金层(32)。

3.如权利要求2所述的锗窗，其特征在于：所述第一镍层(21)和第二镍层(23)的厚度相同。

4.根据权利要求3所述的锗窗，其特征在于，所述底层(10)的厚度为10nm～50nm，所述中间层的第一镍层(21)和第二镍层(23)的厚度均为200nm～700nm，所述第一钛层(22)的厚度为50nm～100nm，所述钯层(31)的厚度为50nm～300nm，所述金层(32)的厚度为30-200nm。

5.根据权利要求4所述的锗窗，其特征在于，所述底层(10)的厚度为20nm，所述中间层的第一镍层(21)和第二镍层(23)的厚度均为600nm，所述第一钛层(22)的厚度为60nm，所述钯层(31)的厚度为100nm，所述金层(32)的厚度为100nm。

6.根据权利要求1-5之任一项所述的锗窗，其特征在于，在所述第二镍层(23)和保护层(30)之间自所述第二镍层(23)起依次层积有第二钛层(24)和第三镍层(25)。

7.根据权利要求6所述的锗窗，其特征在于，所述第三镍层(25)与所述第一镍层(21)、第二镍层(23)的厚度相同；所述第二钛层(24)与所述第一钛层(22)的厚度相同。

8.一种如权利要求2所述的锗窗的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：预处理；

步骤二：金属化处理，在锗窗本体(110)下表面的边缘部分，以该锗窗本体(110)为基，依次层积作为底层(10)的金层、作为中间层(20)的第一镍层(21)、第一钛层(22)和第二镍层(23)以及作为抗氧化外层(30)的钯层(31)和金层(32)，从而在锗窗本体(110)下表面边缘部分形成金属化层；

步骤三：退火处理，对已形成金属化层的该锗窗本体(110)进行退火处理，退火温度为350℃～400℃，退火时间为10～20秒。

9.如权利要求8所述的锗窗的制造方法，其特征在于：所述第一镍层(21)和第二镍层(23)的厚度相同。

10.如权利要求9所述的锗窗的制造方法，其特征在于，所述底层(10)的厚度为10nm～50nm，所述中间层的第一镍层(21)和第二镍层(23)的厚度均为200nm～700nm，所述第一钛层(22)的厚度为50nm～100nm，所述钯层(31)的厚度为50nm～300nm，所述金层(32)的厚度为30-200nm。

11.如权利要求10所述的锗窗的制造方法，其特征在于，所述底层(10)的厚度为20nm，所述中间层的第一镍层(21)和第二镍层(23)的厚度均为600nm，所述第一钛层(22)的厚度为60nm，所述钯层(31)的厚度为100nm，所述金层(32)的厚度为100nm。

12.如权利要求8-11之任一所述的锗窗的制造方法，其特征在于，所述步骤二中：在所述第二镍层(23)和保护层(30)之间自所述第二镍层(23)起依次层积有第二钛层(24)和第三镍层(25)。

13.如权利要求12所述的锗窗的制造方法，其特征在于，所述第三镍层(25)与所述第一镍层(21)、第二镍层(23)的厚度相同，第二钛层(24)与所述第一钛层(22)的厚度相同。

14.一种气密性盒体，包括具有开口的金属壳体，设在金属壳体的开口上面并具有通孔的金属盖板、设在金属盖板上并盖住通孔的锗窗，其特征在于，所述锗窗为如权利要求1-7之任一项所述的锗窗。

15.一种红外线传感装置，其特征在于，包括如权利要求14所述的气密性盒体以及封装于该气密性盒体内的芯片。