[发明专利]加热装置、衬底处理装置以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201010198610.9 | 申请日: | 2010-06-07 |
公开(公告)号: | CN101964302A | 公开(公告)日: | 2011-02-02 |
发明(设计)人: | 村田等;小杉哲也;杉浦忍 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立国际电气 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 衬底 处理 以及 半导体 制造 方法 | ||
1.一种加热装置,具有:
发热体,该发热体的两端固定,通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状;
保持体承受部,该保持体承受部分别设在所述谷部的末端,作为具有比所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成;
隔热体,该隔热体设置在所述发热体的外周;
保持体,该保持体配置在所述保持体承受部内并固定在所述隔热体上。
2.如权利要求1所述的加热装置,
所述发热体具有:环状部,该环状部由所述峰部和所述谷部交替地多个相连的部位形成;一对供电部,该一对供电部贯通所述隔热体并固定在该隔热体上,分别连接在所述环状部的两端,
所述隔热体以围绕所述环状部的外周面的方式形成为环状,在所述隔热体的内周面上具有收容所述环状部的槽状的收纳部,
所述环状部中的所述峰部的顶端,以朝向所述环状部的中心的方式,相对于除所述环状部中的所述峰部顶端外的中央部分别以钝角倾斜,
所述收纳部的两侧壁相对于所述收纳部的底面分别以钝角倾斜,
所述峰部顶端的倾斜角度和所述收纳部的两侧壁的倾斜角度被设定为相等的角度。
3.如权利要求1所述的加热装置,
所述发热体具有:环状部,该环状部由所述峰部和所述谷部交替地多个相连的部位形成;一对供电部,该一对供电部贯通所述隔热体并固定在该隔热体上,分别连接在所述环状部的两端,
所述隔热体以围绕所述环状部的外周面的方式形成为环状,在所述隔热体的内周面上具有收容所述环状部的槽状的收纳部,
所述收纳部的底面与邻接该底面的所述环状部之间的距离被设定为,在所述收纳部以及所述环状部的全周各部中的至少一部分不同。
4.如权利要求1所述的加热装置,
所述发热体具有:环状部,该环状部由所述峰部和所述谷部交替地多个相连的部位形成;一对供电部,该一对供电部贯通所述隔热体并固定在该隔热体上,分别连接在所述环状部的两端,
所述保持体承受部的宽度被设定为,随着远离所述一对供电部而变大。
5.如权利要求1所述的加热装置,
所述发热体具有:环状部,该环状部由所述峰部和所述谷部交替地多个相连的部位形成;一对供电部,该一对供电部贯通所述隔热体并固定在该隔热体上,分别连接在所述环状部的两端,
所述保持体承受部与所述保持体的相对位置被设定为,在所述环状部的全周各部中的至少一部分不同。
6.如权利要求2所述的加热装置,
所述收纳部的所述底面的宽度形成为比所述中央部的宽度大,在所述收纳部的所述底面上,具有以比所述中央部小的宽度形成的层差部。
7.如权利要求3所述的加热装置,
所述距离设定为,至少在所述环状部为室温状态时,在所述收纳部以及所述环状部的全周各部中的至少一部分不同。
8.如权利要求3所述的加热装置,
所述距离设定为,至少在所述环状部为衬底处理时的温度状态时,由于热膨胀,所述收纳部以及所述环状部的全周各部成为相等的距离。
9.一种衬底处理装置,具有加热装置和处理室,该处理室设在该加热装置的内部,对衬底进行处理,其中,
所述加热装置具有:发热体,该发热体的两端固定,通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状;保持体承受部,该保持体承受部分别设在所述谷部的末端,作为具有比所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成;隔热体,该隔热体设置在所述发热体的外周;保持体,该保持体配置在所述保持体承受部内并固定在所述隔热体上。
10.一种半导体装置的制造方法,具有以下工序:
将衬底搬入设在加热装置的内部的处理室内的工序;
将所述加热装置所具有的通过峰部和谷部交替地多个相连而形成为蛇行状的发热体的两端固定在设于所述发热体的外周的隔热体上,并且,在分别设置在所述各部的末端、作为具有比所述谷部的宽度大的宽度的切缺部而形成的保持体承受部内配置保持体并将其固定在所述隔热体上,由此,保持所述发热体的位置,并使所述发热体升温,对所述处理室内的衬底进行加热处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造