[发明专利]薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极有效
申请号: | 201010198723.9 | 申请日: | 2010-06-11 |
公开(公告)号: | CN101857953A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 何祝兵;李毅;胡盛明;李志坚;王春柱;周建华 | 申请(专利权)人: | 深圳市创益科技发展有限公司 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 深圳市毅颖专利商标事务所 44233 | 代理人: | 张艺影;李奕晖 |
地址: | 518029 广东省深圳市福*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 沉积 用面馈入 电极 | ||
1.薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,包括电极板组件和其上的信号馈入口,其特征在于电极板组件的阳极板接信号电源正极接地,电极板组件的馈入口位于阴极板背面的中心区域下凹的圆形面内,还包括
面接触连接信号馈入口的馈入组件接射频/甚频功率电源负极;
以面馈入射频/甚频功率电源信号;
馈入组件的端面是半圆形;
阴极板的屏蔽罩上开有通孔。
2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,其特征在于所说信号的馈入组件还包括绝缘层和外壳屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,其特征在于所说的馈入组件是一个包括由腰部和头部构成阶梯形状的导电体。
4.根据权利要求1-3其中任意一项所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,其特征在于所说的馈入组件的腰部为扁平形,其头部为半圆形。
5.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,其特征在于所说馈入组件由铜质馈入芯、绝缘层和外壳屏蔽层构成。
6.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,其特征在于所说的电极板组件包括单面放电的阴极板、陶瓷绝缘层、屏蔽罩。
7.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,其特征在于所说的电极板组件,所说的屏蔽罩覆盖整个阴极板背面和侧面。
8.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,其特征在于所说的电极板组件还包括阴极板的屏蔽罩接地和阳极板的接地体,阴极板和阳极板之间具有一定的放电间距。
9.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,其特征在于所说的屏蔽罩,还包括射频/甚高频电源功率信号馈入至阴极板背面的中心位置及四周侧面的屏蔽。
10.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极,其特征在于所说的馈入组件的另一端接包括射频/甚高频功率电源的阴极输出口和功率电源匹配器。
11.薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极的信号馈入方法,由电极板组件和其上的信号馈入口,以面馈入模式馈入射频/甚高频信号,其特征在于该模式由带屏蔽的馈入组件
以面接触连接信号馈入口;
馈入射频/甚高频功率电源信号;
信号馈入口位于阴极板背面的中心区域的下凹面内;
阴极板的屏蔽绝缘罩外壳上开通孔。
12.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极的信号馈入方法,特征在于所说阴极板的屏蔽罩外壳上开通孔,以免馈入组件通过通孔接馈入口时接触到屏蔽罩。
13.根据权利要求9所述的薄膜太阳能电池沉积用面馈入电极的信号馈入方法,其特征在于所说的馈入组件是一个包括由腰部和头部构成阶梯形状的导电体。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的