[发明专利]一种白光OLED的制备方法无效
申请号: | 201010198948.4 | 申请日: | 2010-06-12 |
公开(公告)号: | CN101877388A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 马颖;张方辉;牟强;张麦丽;蒋谦;刘丁菡 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 汪人和 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 白光 oled 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种光源封装,特别是一种白光OLED的制备方法。
背景技术
自1963年有机单晶蒽被发现后,有机电致发光器件(OLED)得到了广泛研究。其中,白色有机电致发光器件(WOLED)由于驱动电压低、效率高、功耗低、制备工艺简单、原料来源广泛等特点而引起了广泛关注。
目前的WOLED可分为单发光层和多发光层两类结构。其中,单发光层结构的制备方法主要以下两种方式,一种是选择可覆盖整个可见光范围的荧光材料作发光层,用这种方法制备的WOLED结构简单、制作方便,但是,如果要得到纯度较好的白光,就要求发光材料的各发色集团间互不干扰,且各种颜色的发射光强度要匹配,要做到这一点,具有一定困难;单发光层结构的另一种制备方式是通过在主体材料中掺杂红、蓝、绿等染料,通过混色形成白光,这种方法制备的WOLED虽然结构简单,但掺杂浓度难以控制,从而使得三种颜色的波峰难以控制且效率低。
多发光层结构,即将红、绿、蓝三基色材料分别单独作为发光层堆积到一起,各自发出的光叠加形成白光。多发光层结构的器件单层色度较好控制,其难点在于能否调节出合适的发光层顺序及厚度,这是因为各层间的能量会相互吸收,从而降低了器件效率。这种器件的制备工艺复杂、重复性差、成本高。
鉴于以上问题,实有必要提供一种可以解决上述技术问题的白光OLED的制备方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种白光OLED的制备方法,其发出的白光均匀,且工艺简单,成本低廉。
为实现上述目的,本发明提供了一种白光OLED的制备方法,首先将ITO玻璃清洗并烘干后进行等离子轰击预处理,随后,将处理后的ITO玻璃移转至镀膜机中,同时,将电子阻挡层用材料、空穴传输层用材料、发光层用材料、电子传输层用材料和阴极层用材料放入镀膜机中进行蒸镀,从而,在ITO玻璃表面依次形成电子阻挡层、空穴传输层、发光层、电子传输层,以及阴极层,其中,蒸镀发光层时,在主体材料中掺杂红蓝两种掺杂剂进行蒸镀。
作为本发明的优选实施例,蒸镀发光层中,首先将主体材料和蓝色掺杂剂进行双源共蒸,然后,再将主体材料、蓝色掺杂剂和红色掺杂剂进行三源共蒸;作为本发明的优选实施例,所述主体材料和蓝色掺杂剂进行双源共蒸时,蓝色掺杂剂占主体材料的比例为A,主体材料与蓝色掺杂剂和红色掺杂剂进行三源共蒸时,蓝色掺杂剂占主体材料的比例为A,红色掺杂剂占主体材料的比例为B;作为本发明的优选实施例,所述A为2%,B为6%;作为本发明的优选实施例,所述主体材料和蓝色掺杂剂进行双源共蒸时,共蒸时间为100S,主体材料的蒸镀速率为0.2nm/S,蓝色掺杂剂的蒸镀速率为0.067nm/S;作为本发明的优选实施例,所述主体材料与蓝色掺杂剂和红色掺杂剂进行三源共蒸时,共蒸时间为10S,主体材料的蒸镀速率为0.2nm/S,蓝色掺杂剂和红色掺杂剂的蒸镀速率为0.067nm/S;作为本发明的优选实施例,清洗ITO玻璃时,将ITO玻璃在超声波清洗机中依次用洗洁剂、蒸馏水和无水乙醇清洗;作为本发明的优选实施例,所述发光层的主体材料为ADN,蓝色掺杂剂为TBPE,红色掺杂剂为DCJTB;作为本发明的优选实施例,所述发光层的厚度为20nm。
本发明白光OLED的制备方法至少具有以下优点:对发光层仅采用两种颜色的荧光材料掺杂就可以获得白光OLED器件,如此,掺杂的比例容易控制,从而使所制备的白光OLED器件适合在显示器、照明等不同领域的应用,且工艺简单,成本低廉。
附图说明
图1是通过本发明白光OLED的制备方法制备出来的器件的光谱图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择