[发明专利]一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列，其特征在于包括LED蓝宝石外延片(1)、GaN列矩阵隔离结构(2)、N型欧姆接触引线(4)、InGaN/GaN量子阱薄膜层(5)、有源区(6)、P型欧姆接触(7)、光线反射层(8)以及支撑硅电极，其中支撑硅电极包括硅圆片(12)、SiO₂隔离层(13)、金属引线(14)、低温淀积氧化层(15)、反溅射Ti/Au金属层(16)和电镀Au金属层(17、18)；以LED蓝宝石外延片(1)为衬底，GaN列矩阵层(2)设置于衬底上，InGaN/GaN薄膜层(5)设置于GaN列矩阵层(2)上，有源区(6)设置于InGaN/GaN薄膜层(5)上，采用干法刻蚀GaN列矩阵层(2)形成多个GaN列矩阵单元，采用干法刻蚀InGaN/GaN薄膜层(5)得到N-GaN导电层(3)，GaN列矩阵单元的N-GaN导电层(3)上设置欧姆接触引线(4)，在有源区(6)上形成P型欧姆接触(7)，在P型欧姆接触(7)上设置光线反射层(8)，在以上各部件上设置SiO₂钝化层(9)，欧姆接触引线(4)和光线反射层(8)的引线外接区域设置反溅射Ti/Au层(10)，反溅射Ti/Au层(10)上设置Au层(11)；SiO₂隔离层(13)设置于硅圆片(12)上，SiO₂隔离层(13)上与GaN列矩阵单元对应设置金属位引线(14)，金属引线(14)上设置低温淀积氧化层(15)，反溅射Ti/Au金属层(16)设置于引线外接的压焊区域(14)上，Au金属层设置于反溅射Ti/Au金属层(16)上。

2.根据权利要求1所述的一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列，其特征在于所述Au金属层形状为球形。

3.一种基于权利要求1所述的一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)清洗已激活Mg元素的蓝宝石LED外延片(1)；

2)干法刻蚀完GaN层(2)形成多个GaN列矩阵单元；

3)干法刻蚀完InGaN/GaN薄膜层(5)，获得N-GaN导电层(3)；

4)形成Ti/Al欧姆接触引线(4)，设置在N-GaN导电层(3)一侧形成的台阶上，作为阵列的字线；

5)在有源区(6)上形成金属层Ag1的P型欧姆接触(7)；

6)在P型欧姆接触(7)上形成金属薄层Ag2的光线反射层(8)；

7)设置SiO₂钝化层；

8)在Ti/Al欧姆接触引线(4)和光线反射层(8)的引线外接区域上设置反溅射Ti/Au层(10)；

9)在反溅射Ti/Au层(10)上设置Au层(11)；

10)设置低温淀积SiO₂隔离层(13)，隔离金属引线(14)与硅圆片(12)；

11)设置溅射金属引线(14)，作为可寻址LED微阵列的位线连接线；

12)将低温淀积氧化层(15)设置于金属引线(14)外；

13)反溅射Ti/Au金属层(16)设置于金属引线(14)的外接的压焊区域上，电镀Au金属层结构17即字线连接点和18即位线连接点于反溅射Ti/Au金属层(16)上；

14)绑定Bonding工艺，实现LED显示阵列与支撑硅的压焊区对接。

4.一种基于权利要求1所述的一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列的制备方法，其特征在于步骤5)所述金属层Ag1的厚度500±100

5.一种基于权利要求1所述的一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列的制备方法，其特征在于所述金属薄层Ag2的厚度2000±300

6.一种基于权利要求1所述的一种可寻址氮化镓基LED显示微阵列的制备方法，其特征在于所述LED显示微阵列中发光阵列之间为等比例变间距，相邻阵列之间的间距比例为1/2～2/3。