[发明专利]从施主衬底到处理衬底的层转移方法

权利要求书

1.一种从施主衬底到处理衬底进行层转移并对该施主衬底的表面进行回收再利用的方法，该方法包括以下步骤：

a)提供分别具有倒角边缘区域的施主衬底和处理衬底，该施主衬底具体地为半导体衬底，

b)在所述施主衬底内以深度h形成预定分割区，

c)对所述施主衬底和所述处理衬底进行附接以得到施主—处理复合体，该附接具体地通过键合实现，其中在所述施主衬底和所述处理衬底二者的倒角边缘区域内，在两个衬底之间没有发生附接，然后

d)对所述倒角区域进行刻蚀，使得在未发生附接的区域中从所述施主衬底至少去除厚度约h的层，具体而言去除厚度大于h的层，然后

e)使得所述施主衬底的剩余部分与施主—处理衬底分离，其中在所述预定分割区发生分离，以及

f)对所述施主衬底的所述剩余部分进行再利用，具体而言在表面处理步骤之后对所述施主衬底的所述剩余部分进行再利用。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述施主衬底包括电介质层，并且该方法包括在步骤c)和d)之间执行的步骤g)，该步骤g)至少在所述倒角区域中，但不在附接区域中，从所述施主衬底去除所述电介质。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述处理衬底包括电介质层。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其中所述电介质层是氧化物，具体而言是硅氧化物。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中步骤e)和/或步骤g)是湿法刻蚀步骤或干法刻蚀步骤。

6.根据权利要求5所述的方法，其中使用非选择性的和/或各向同性的刻蚀法来执行步骤e)和步骤g)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中在步骤d)期间，从所述施主衬底的未附接区域中去除厚度约为至的层，具体而言去除厚度为至的层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中在低于500℃的温度下执行步骤d)和/或g)，优选地在低于350℃的温度下执行步骤d)和/或g)。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述表面处理步骤至多包括抛光步骤以及位于所述抛光步骤之前和/或之后的清洗步骤，具体而言所述抛光步骤是CMP抛光。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在CMP抛光期间从发生分离的表面去除小于3μm的层，优选地去除小于1μm的层。