[发明专利]利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法及样品保持器

权利要求书

1.一种利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，是量测薄膜在湿式状态下的特性的方法，其特征在于包含以下步骤：

提供一待测薄膜，具有一第一表面与一第二表面；

对该薄膜的该第一表面进行一电浆聚合程序，于薄膜的该第一表面形成一玻璃状保护层；

将形成有该玻璃状保护层的薄膜固定于一样品保持器上，使该薄膜的该第一表面露出，且使该薄膜的该第二表面被真空密封于该样品保持器内；

将一液体经由该样品保持器的一注入口，注入该样品保持器，使该液体与该薄膜的该第二表面接触；

密封该注入口后，将该样品保持器放入一正子消散光谱仪的真空系统中；以及

使该正子消散光谱仪的正子束冲击该玻璃状保护层，以量测该薄膜的特性；

其中该玻璃状保护层具有真空密封的性质，该液体不会经由该玻璃状保护层渗透入该真空系统中。

2.根据权利要求1所述的利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，其特征在于其中所述的电浆聚合程序利用电浆辅助化学气相沉积法，形成一含有硅、氧、碳及氢的玻璃状保护层于该薄膜的该第一表面上。

3.根据权利要求1所述的利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，其特征在于其中所述的玻璃状保护层为一含有硅、氧、碳及氢的沉积层。

4.根据权利要求1所述的利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，其特征在于其中密封该注入口的步骤借由真空密封胶密封该注入口，使气体无法通过该注入口。

5.根据权利要求1所述的利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，其特征在于其中借由该方法量测的特性为薄膜的自由体积或薄膜的层构造。

6.根据权利要求1所述的利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，其特征在于其中所述的玻璃状保护层的厚度为650nm～5000nm的范围。

7.根据权利要求1所述的利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，其特征在于其中所述的玻璃状保护层的厚度为700nm～1500nm的范围。

8.根据权利要求1所述的利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，其特征在于其中所述的样品保持器包含：

一前板，具有一开口；以及

一背板，具有一凹槽及一注入口，其中该注入口与该凹槽连通；

其中该薄膜夹于该前板与背板之间，该薄膜的该第一表面与该前板相接且该玻璃状保护层经由该前板的该开口露出至外部，该薄膜的该第二表面与该背板的该凹槽相接，该前板、该薄膜及该背板之间真空密封后，使该液体经由该注入口注入该凹槽内，该液体与该薄膜的该第二表面接触而使该薄膜成为湿式状态。

9.根据权利要求1所述的利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，其特征在于其中所述的薄膜为一非对称性薄膜或具有多层结构。

10.根据权利要求8所述的利用正子消散光谱术量测薄膜特性的方法，其特征在于其中构成该前板与背板的材料分别为金属、合金或塑胶。

11.一种样品保持器，其应用于正子消散光谱仪，用以量测一薄膜在湿式状态下的特性，其特征在于该样品保持器包含：

一前板，具有一开口；以及

一背板，具有一凹槽及一注入口，其中该注入口与该凹槽连通；

其中该薄膜具有一第一表面及一第二表面，于该第一表面上沉积有玻璃状保护层，该薄膜夹于该前板与背板之间，该薄膜的该第一表面与该前板相接且该玻璃状保护层经由该前板的该开口露出至外部，该薄膜的该第二表面与该背板的该凹槽相接，将该前板、该薄膜及该背板之间依序真空密封后，将一液体经由该注入口注入该凹槽内后密封该注入口，该液体与该薄膜的该第二表面接触，使该薄膜成为湿式状态。

12.根据权利要求11所述的样品保持器，其特征在于其中所述的玻璃状保护层为一含有硅、氧、碳及氢的沉积层。

13.根据权利要求11所述的样品保持器，其特征在于其中所述的玻璃状保护层借由电浆辅助化学气相沉积法，形成一含有硅、氧、碳及氢的沉积层所构成。

14.根据权利要求11所述的样品保持器，其特征在于其中所述的玻璃状保护层的厚度为650nm～5000nm的范围。

15.根据权利要求11所述的样品保持器，其特征在于其中所述的玻璃状保护层的厚度为700nm～1500nm的范围。