[发明专利]纳米压印方法无效

专利信息
申请号: 201010200766.6 申请日: 2010-06-14
公开(公告)号: CN102279517A 公开(公告)日: 2011-12-14
发明(设计)人: 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;金元浩 申请(专利权)人: 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084 北京市海淀区清*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 纳米 压印 方法
【权利要求书】:

1.一种纳米压印方法,其包括以下步骤:

步骤a,提供一基底和一个表面具有纳米图形的模板,所述基底的一表面形成有有机第一抗蚀层;

步骤b,通过压印抗蚀剂HSQ贴合所述基底和模板,贴合时所述压印抗蚀剂HSQ直接接触所述模板的具有纳米图形的表面,并将压印抗蚀剂HSQ夹持于该基底的抗蚀层与所述模板的所述表面之间,以形成第二抗蚀层;

步骤c,在室温下、通过在该基底和模板施加压力,将模板表面的纳米图形复制到所述第二抗蚀层,在所述第二抗蚀层形成纳米图形;以及

步骤d,将所述第二抗蚀层上的纳米图形转移至基底,在所述基底表面形成纳米图形。

2.如权利要求1所述的纳米压印的方法,其特征在于,所述步骤a进一步包括在所述基底的第一抗蚀层的远离所述基底的表面进一步沉积二氧化硅,以形成一过渡层的步骤。

3.如权利要求2所述的纳米压印的方法,其特征在于,所述步骤b中首先所述压印抗蚀剂HSQ涂布于基底上,以形成所述第二抗蚀层,其次将所述模板的具有纳米图形的表面贴合至基底的第二抗蚀层。

4.如权利要求3所述的纳米压印的方法,其特征在于,所述步骤c的具体操作步骤包括:

将基底以及模板放置于一压印机中,设置压印机的真空度为1×10-1mbar~1×10-5mbar;

施加压力为2磅/平方英尺~100磅/平方英尺(Psi)的压印条件下,保持2~30分钟,把模板的凸部压到基底上的第二抗蚀层中,使第二抗蚀层的压印抗蚀剂HSQ充满模板的纳米图形中的凹槽;以及

将模板与基底分离,从而将该模板表面的纳米图形复制到所述压印抗蚀层。

5.如权利要求3所述的纳米压印的方法,其特征在于,将上述压印抗蚀剂HSQ采用旋涂的方式涂布于所述过渡层,旋涂转速为2500转/分钟~7000转/分钟,旋涂时间为0.5分钟~2分钟,该压印抗蚀剂HSQ的旋涂在高压下进行。

6.如权利要求2所述的纳米压印的方法,其特征在于,所述步骤b中首先所述压印抗蚀剂HSQ涂布于所述模板具有纳米图形的表面,以形成所述第二抗蚀层,其次将基底覆盖于模板。

7.如权利要求6所述的纳米压印的方法,其特征在于,所述步骤c的具体操作步骤包括:将所述压印抗蚀剂HSQ滴在所述模板形成有纳米图形的表面,于密闭的环境下静置1~2个小时。

8.如权利要求7所述的纳米压印的方法,其特征在于,将上述压印抗蚀剂HSQ采用液滴涂布方法,缓慢滴在所述模板具有纳米图形的表面。

9.如权利要求4或7所述的纳米压印的方法,其特征在于,所述步骤d的具体操作步骤为:

一并刻蚀残留在所述第二抗蚀层的凹槽底部的压印抗蚀剂HSQ及所述过渡层,露出凹槽底部的第一抗蚀层;

刻蚀凹槽底部的第一抗蚀层,露出基底;以及

刻蚀凹槽底部的基底,并用有机溶剂去除残留的有机材料,从而获得一具有纳米图形的基底。

10.如权利要求9所述的纳米压印的方法,其特征在于,所述步骤d中采用氧等离子体去除第二凹槽底部的第一抗蚀层,从而露出基底同时固化第二抗蚀层,氧等离子体系统的功率是10瓦~150瓦,氧等离子体的通入速率为2~100sccm,形成的气压为0.5帕~15帕,采用氧等离子体刻蚀时间为5秒~1分钟。

11.一种纳米压印方法,其包括以下步骤:

步骤a,提供一基底,在所述基底的一个表面依次形成一有机第一抗蚀层、一过渡层及一由压印抗蚀剂HSQ构成的第二抗蚀层;

步骤b,提供一个表面具有纳米图形的模板,并将该模板表面的纳米图形,在室温下复制到所述第二抗蚀层;

步骤c,将所述第二抗蚀层上的纳米图形转移至基底,在所述基底表面形成纳米图形。

12.一种纳米压印方法,其包括以下步骤:

步骤a,提供一基底和一个表面具有纳米图形的模板,所述基底的一表面形成有有机第一抗蚀层;

步骤b,提供一表面具有纳米图形的模板,在该模板具有纳米图形的表面形成压印抗蚀剂HSQ,以形成一第二抗蚀层;

步骤c,将基底覆盖于模板,使所述基底的过渡层与所述模板的覆盖有压印抗蚀剂HSQ的表面接触,常温下压所述模板及基底,并脱模;以及

步骤d,将所述第二抗蚀层上的纳米图形转移至基底,在所述基底表面形成纳米图形。

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