[发明专利]用于制造具有冷却装置的变流器系统的方法和变流器系统

权利要求书

1.用于制造变流器系统的方法，所述变流器系统具有带金属成型体(100)的冷却装置(10)和至少一个衬底(30a/b)，所述金属成型体(100)具有主面(14)的至少一个平坦区段(16、18)和大量冷却机构(12)，在所述至少一个衬底(30a/b)上能够设置变流器电路(20)的其他部件(50)，其特征在于下列主要方法步骤的顺序：

·提供压力烧结装置的具有用于容纳冷却装置(10)的凹处(72)的对压件(70)，其中，所述凹处(72)构成为所述冷却装置(10)的阴模；

·将所述冷却装置(10)设置在所述对压件(70)内；

·将所述变流器电路(20)的至少一个衬底(30a/b)设置在所述冷却装置(10)的所述主面(14)的所分配的所述平坦区段(16、18)上，其中，所述衬底(30)的和所述冷却装置(10)的各接触面(62)分别在所要连接的区域内具有能烧结的表面，并且其中，在所述所要连接的区域之间设置有适当稠度的烧结金属(60)；

·向所述衬底(30a/b)和所述冷却装置(10)导入压力和温度来构成压力烧结连接。

2.按权利要求1所述的方法，其中，所述对压件(70)的形成所述阴模的所述凹处(72)以如下方式构成，即，设置于其内的所述冷却装置(10)在压力作用下关于所述冷却装置(10)的所述主面(14)凹着变形。

3.按权利要求2所述的方法，其中，所述冷却装置关于所述主面(14)的所述平坦区段(16、18)的所分配的纵向伸展(L)变形不超过2％。

4.按权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底(30)与所述冷却装置(10)连接之后，在所述衬底(30)上设置有大功率半导体元件(50)和其他连接装置(40)。

5.按权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底(30)与所述冷却装置(10)连接之前，在所述衬底(30)上已经至少设置有大功率半导体元件(50)。

6.按权利要求1所述的方法，其中，所述金属成型体(100)由弹性模量特别小的金属材料的变体构成。

7.按权利要求6所述的方法，其中，所述金属材料为纯度至少99％的纯铝或者热处理的铜。

8.变流器系统，所述变流器系统具有冷却装置(10)和至少一个变流器电路(20)，所述冷却装置(10)具有金属成型体(100)，所述金属成型体(100)具有主面(14)的至少一个平坦区段(16、18)和大量冷却机构(12)，所述至少一个变流器电路(20)具有至少一个带有大量第一导体带(34a/b)的衬底(30a/b)，其中，至少一个大功率半导体元件(50)设置在至少一个第一导体带(34a/b)上并借助连接装置(40)与至少一个另外的大功率半导体元件(50)和/或者至少一个另外的第一导体带(34a/b)适于电路地连接，

其中，所述冷却装置(10)的所述主面(14)的平坦区段(16、18)与所述变流器电路(20)之间材料配合的连接借助压力烧结连接构成。

9.按权利要求8所述的变流器系统，其中，所述金属成型体(100)由弹性模量特别小的金属材料的变体构成。

10.按权利要求9所述的变流器系统，其中，所述金属材料为纯度至少99％的纯铝或者热处理的铜。