[发明专利]垂直磁记录介质及其制造和相应的磁存储装置

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质，包括：

至少一个软磁性底层，所述至少一个软磁性底层在衬底上方；

晶种层，所述晶种层在所述至少一个软磁性底层上方；

中间层，所述中间层在所述晶种层上方；

磁记录层，所述磁记录层在所述中间层上方；以及

保护层，所述保护层在所述磁记录层上方，

其中所述晶种层包括在第一晶种层上方的第二晶种层，

其中所述第一晶种层包括具有面心立方(FCC)结构的非磁性合金，以及

其中所述第二晶种层包括具有FCC结构的软磁性合金。

2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一晶种层包括镍-钨(NiW)合金。

3.如权利要求2所述的垂直磁记录介质，其中，所述NiW合金中钨(W)的含量小于约20个原子百分比(at.％)。

4.如权利要求2所述的垂直磁记录介质，其中，所述第二晶种层包括具有主要成分为镍-铁(NiFe)或钴-铁(CoFe)的合金。

5.如权利要求4所述的垂直磁记录介质，其中，所述第二晶种层包括钨(W)、钒(V)和钽(Ta)中的至少一种。

6.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一晶种层包括镍-钨-铬(NiWCr)合金。

7.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一晶种层的膜厚度在约2nm至约8nm的范围内，以及其中所述第二晶种层的膜厚度在约2nm至约7nm的范围内。

8.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，所述中间层包括钌(Ru)或其合金。

9.一种磁盘驱动系统，包括：

权利要求1所述的垂直磁记录介质；

至少一个磁头，所述至少一个磁头用于写入所述磁介质；

滑橇，所述滑橇用于支撑所述至少一个磁头；以及

控制元件，所述控制元件耦合到所述至少一个磁头，用于控制所述至少一个磁头的操作。

10.一种垂直磁记录介质，包括：

至少一个软磁性底层，所述至少一个软磁性底层在衬底上方；

晶种层，所述晶种层在所述至少一个软磁性底层上方；

中间层，所述中间层在所述晶种层上方；

磁记录层，所述磁记录层在所述中间层上方；以及

保护层，所述保护层在所述磁记录层上方，

其中所述晶种层为至少两个周期的层积膜单元的层积结构，所述层积膜单元包括第一晶种层和第二晶种层，

其中所述第一晶种层包括具有面心立方(FCC)结构的非磁性合金，以及

其中所述第二晶种层包括具有FCC结构的软磁性合金。

11.如权利要求10所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一晶种层包括镍-钨(NiW)合金。

12.如权利要求11所述的垂直磁记录介质，其中，所述NiW合金包括小于约20个原子百分比(at.％)的NiW。

13.如权利要求11所述的垂直磁记录介质，其中，所述第二晶种层为具有主要成分为NiFe或CoFe的合金。

14.如权利要求13所述的垂直磁记录介质，其中，所述第二晶种层还包括W、V和Ta中的至少一种。

15.如权利要求10所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一晶种层包括镍-钨-铬(NiWCr)合金。

16.如权利要求10所述的垂直磁记录介质，其中，所述第一晶种层的膜厚度在约1nm至约4nm的范围内，以及其中所述第二晶种层的膜厚度在约1nm至约4nm的范围内。

17.如权利要求10所述的垂直磁记录介质，其中，所述中间层包括钌(Ru)或其合金。

18.一种磁盘驱动系统，包括：

权利要求10所述的垂直磁记录介质；

至少一个磁头，所述至少一个磁头用于写入所述磁介质；

滑橇，所述滑橇用于支撑所述至少一个磁头；以及

控制元件，所述控制元件耦合到所述至少一个磁头，用于控制所述至少一个磁头的操作。