[发明专利]制造大功率半导体模块的方法和大功率半导体模块

权利要求书

1.用于制造大功率半导体模块的方法，所述大功率半导体模块具有衬底(10)、连接装置(40)和大量负载连接件(50)，其中，至少一个大功率半导体构件(20)设置在所述衬底(10)的导体带(14)上并适于电路地借助所述连接装置(40)与至少一个负载连接件(50)连接，并且其中，所述连接装置(40)具有能与外部的印制电路板(60)连接的辅助接触连接面(460)，其特征在于如下主要制造步骤：

·提供衬底(10)和连接装置(40)，所述连接装置(40)至少由具有结构化的第一导电金属箔(42)、电绝缘箔(44)和结构化的第二导电金属箔(46)的层序列形成，其中，各结构化部形成由各金属箔构成的第一导体带和第二导体带；

·将所述第一导体带(42)的各第一接触面(420)与大功率半导体构件(20)的至少一个第二接触面(200)和负载连接件(50)的至少一个第三接触面(500)同时或者顺次进行材料配合的连接；

·将由至少一个大功率半导体构件(20)、连接装置(40)和负载连接件(50)组成的复合体设置成所述大功率半导体模块的壳体(30)。

2.按权利要求1所述的方法，其中，所述连接装置(40)的上面设置有与所述负载连接件(20)的所述接触面(200、420)的各区段在设置成所述壳体(30)时垂直地置于通过所述衬底(10)限定的平面上并且为此事先将所述连接装置(40)在弯曲区域(48)内弯曲。

3.按权利要求1和2所述的方法，其中，所述连接装置(40)的所述绝缘箔(44)在从所述衬底向所述箔(44)的边缘的方向上以如下方式超出所有第一导体带，即，到伸展直至所述边缘或者接近所述边缘的第二箔的第二导体带(46)保持足够的间距(70)，以遵守针对电安全性的空气隙和爬电距离，并且其中，在设置成所述壳体(30)后，所述绝缘箔(44)连同至少一个第二导体带(46)超出所述壳体。

4.按权利要求1所述的方法，其中，至少一个负载连接件(50)构成为角状金属成型件，所述角状金属成型件的用于与所述连接装置(40)连接的接触面(500)设置在第一臂的外侧上，并且所述角状金属成型件的第二臂具有用于螺钉穿通部(56)的凹部(52)，并且所述第二臂平行于所述衬底(10)地设置，以及角形在设置在所述衬底内之前构成。

5.大功率半导体模块，具有衬底(10)、连接装置(40)和大量负载连接件(50)，其中，至少一个大功率半导体构件(20)设置在所述衬底(10)的导体带(14)上并且适于电路地借助由具有导电的且结构化的第一金属箔(42)、电绝缘箔(44)和导电的且结构化的第二金属箔(46)的层序列组成的连接装置(40)与至少一个负载连接件(50)连接，其中，各结构化部形成各金属箔构成的第一导体带和第二导体带，其中，至少一个第一导体带(42)具有接触面(420)，其与负载连接件(50)材料配合地连接，并且其中，所述连接装置(40)具有能与外部的印制电路板(60)连接的辅助接触连接面(460)。

6.按权利要求5所述的大功率半导体模块，其中，所述连接装置(40)的上面设置有与所述负载连接件(50)的接触面(420)的区段垂直地置于通过所述衬底(10)限定的所述平面上。

7.按权利要求6所述的大功率半导体模块，其中，所述连接装置的所述绝缘箔(44)在从所述衬底(10)向所述箔(44)的边缘的方向上以如下方式超出所有第一导体带(42)，即，到伸展直至所述边缘的所述第二箔的第二导体带(46)保持足够的间距(70)，以遵守针对电安全性的空气隙和爬电距离，并且其中，所述绝缘箔(44)的该部分连同至少一个第二导体带(46)超出所述壳体(30)。

8.按权利要求5所述的大功率半导体模块，其中，至少一个负载连接件(50)构成为角状金属成型件，所述金属成型件的用于与所述连接装置(40)连接的接触面(500)设置在第一臂的外侧上，并且所述金属成型件的第二臂具有用于螺钉穿通部(56)的凹部(52)，并且所述第二臂平行于所述衬底(10)地设置。