[发明专利]涂敷及显影装置、涂敷及显影方法

说明书

本申请是下述申请的分案申请：

发明名称：涂敷及显影装置、涂敷及显影方法、和存储介质

申请日：2008年8月28日

申请号：200810213699.4

本专利申请享受2007年8月28日提出的作为日本专利申请的特愿2007-221609的优先权。通过引用该在先申请的全部公开内容作为本说明书的一部分。

技术领域

本发明涉及对例如半导体晶片或LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等的基板进行抗蚀液的涂敷处理以及曝光后的显影处理的涂敷及显影装置、涂敷及显影方法和存储介质。

背景技术

在作为半导体制造工序的一个的光刻胶工序中，在半导体晶片(以下也称为晶片)的表面上涂敷抗蚀剂，将该抗蚀剂以规定的图案曝光后进行显影来形成抗蚀图案。这样的处理一般使用在进行抗蚀剂的涂敷以及显影的涂敷及显影装置上连接有曝光装置的系统来进行。

作为涂敷及显影装置例如已知有在日本专利申请公开2006-253501号公报中记述的装置，其包括：载具块(carrier block)，运入包含多个半导体晶片(以下称为晶片)的载具；界面块(interface block)，在与曝光装置之间进行晶片的交接；以及处理块，设置在载具块和界面块之间。

上述处理块是通过层叠涂敷块和显影块而构成的，其中，该涂敷块包含对晶片进行抗蚀剂涂敷的涂敷模块(COT)，该显影块包含对抗蚀剂涂敷后的晶片供给显影液来进行显影的显影模块(DEV)，此外涂敷块及显影块分别包含：加热模块及冷却模块，在涂敷处理以及显影处理前后进行加热以及冷却处理；以及输送臂(transfer arm)，在各模块间进行晶片的输送。

为了谋求生产能力的提高，在涂敷块以及显影块中，分别设置多个涂敷模块、显影模块、加热模块以及冷却模块等的对晶片进行处理的模块。依次从载具送出的晶片，被输送到没有晶片运入的空闲的处理模块上，在各处理模块并行地进行处理。之后，从处理结束的晶片起顺序地向空闲的后级处理模块送出。

图13是表示在上述涂敷及显影装置中的各模块以及各模块间的晶片输送通路的图。从载具101运出的晶片通过设置在上述载具块上的载具臂(carrier arm)102输送到TRS(交接台)103上。之后，晶片以在处理块中上下移动的交接臂104、TRS 105的顺序输送。

之后，晶片通过涂敷块的输送臂106在该涂敷块中以疏水化处理模块(ADH)107A或107B，冷却模块108A或108B，COT109A、109B或109C，加热模块110A～110D的任一个，WEE(边缘曝光模块)111，以及缓冲模块112的顺序输送。

之后，晶片依次经由上述交接臂104，从载具块侧向界面块侧移动的穿梭臂(shuttle arm)16，以及设置在界面块的界面臂114被输送到曝光装置113，接受曝光处理。

曝光处理后的晶片，经由界面臂114被输送到TRS 115A或115B。接着，晶片通过设置在显影块的输送臂116以加热模块117A～117F的任一个，冷却模块118A或118B，DEV119A～119F的任一个，加热模块120A～120F的任一个，TRS 121A或121B的顺序被输送之后，返回到载具101。

在这样的涂敷以及显影装置中，正在研究使生产能力进一步提高，例如目标是实现每一小时(3600秒)200枚～300枚左右的生产能力。为了实现每一小时200枚的生产能力，需要以3600秒/200枚＝18秒/枚的速度进行上述的涂敷以及显影处理，为了实现每一小时300枚的生产能力，需要以3600秒/300枚＝12秒/枚的速度进行上述的涂敷以及显影处理。

在将一枚晶片从前级的模块向后级模块的输送作为一回输送来计算的情况下，在涂敷块中，输送臂106将该晶片从TRS 105输送到缓冲模块112为止共计进行6回输送。为了实现上述生产能力，这些模块之间的每一回的输送时间在生产能力在200枚/小时的情况下设定为18秒/6＝3秒以下，在生产能力是300枚/小时的情况下设定为12秒/6＝2秒以下。

而且，为了以这样的速度进行晶片的输送，需要确保晶片的输送地以使一个模块的处理结束后，能够立刻进行向下面的模块的输送。因此正在研究在涂敷块及显影块中较多地设置各模块，增加在同种模块中并行处理的晶片数(并行处理数)。图14是像这样在涂敷块中分别增加同种模块数的一个例子。