[发明专利]半导体激光二极管、打印头和成像装置

权利要求书

1.一种半导体激光二极管，包括：

谐振腔，包括n型分布布拉格反射器、p型分布布拉格反射器以及设置在所述n型分布布拉格反射器与所述p型分布布拉格反射器之间的有源层；和

凹凸图案，具有凸部分和凹部分并包括在所述谐振腔的周边上。

2.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，其中所述凹凸图案包括多个圆形凸部分和分别位于所述凸部分之间的多个圆形凹部分。

3.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，其中相邻的凸部分的尺寸不同。

4.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，其中所述凹凸图案的所述凸部分具有相同的尺寸。

5.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，其中通过连接所述凹凸图案的最外点而形成的线大致形成圆形。

6.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，其中通过连接所述凹凸图案的最外点而形成的线大致形成方形。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光二极管，还包括形成在所述半导体激光二极管的中心部分中的孔。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光二极管，还包括涂层，所述涂层包括在所述凹凸图案的周边上。

9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光二极管，其中所述谐振腔是三维瑞利谐振腔。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体激光二极管，其中所述半导体激光二极管发射具有高斯分布的光。

11.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，其中所述凹凸图案包括多边形。

12.根据权利要求8所述的半导体激光二极管，其中所述涂层使得在所述有源层中振荡的光受到光量子环瑞利限制条件的限制。

13.根据权利要求1所述的半导体激光二极管，其中所述半导体激光二极管是光量子环激光二极管。

14.一种打印头，对于多个像素中的每个，该打印头将光选择性地照射到感光介质上，所述打印头包括：

光源单元，包括分别对应于每个所述像素的多个半导体激光二极管；和

聚光单元，将从所述光源单元发射的光聚集到所述感光介质上，

其中每个所述半导体激光二极管包括：

谐振腔，包括n型分布布拉格反射器、p型分布布拉格反射器以及设置在所述n型分布布拉格反射器与所述p型分布布拉格反射器之间的有源层；和

凹凸图案，包括在所述谐振腔的周边上。

15.根据权利要求14所述的打印头，还包括涂层，所述涂层形成在所述凹凸图案的周边上并使得在所述有源层中振荡的光受到光量子环瑞利限制条件的限制。

16.根据权利要求14所述的打印头，还包括形成在所述半导体激光二极管的中心部分中的孔。

17.根据权利要求14所述的打印头，其中所述谐振腔是三维瑞利谐振腔。

18.根据权利要求14所述的打印头，其中每个所述半导体激光二极管发射具有高斯分布的光。

19.一种成像装置，包括：

感光介质，其上形成潜像；

打印头，包括：

光源单元，包括分别对应于图像的多个像素的多个半导体激光二极管，和

聚光单元，将从所述光源单元发射的光聚集到所述感光介质上；

显影单元，将显影剂提供到所述感光介质上从而形成对应于所述潜像的图像；

转印单元，将形成在所述感光介质上的图像转印到打印介质；和

定影单元，定影转印到所述打印介质的图像，

其中每个所述半导体激光二极管包括：

谐振腔，包括n型分布布拉格反射器、p型分布布拉格反射器以及设置在所述n型分布布拉格反射器与所述p型分布布拉格反射器之间的有源层；和

凹凸图案，包括在所述谐振腔的周边上。

20.根据权利要求19所述的成像装置，还包括涂层，所述涂层形成在所述凹凸图案的周边上并使得在所述有源层中振荡的光受到光量子环瑞利限制条件的限制。

21.根据权利要求19所述的成像装置，还包括形成在每个所述半导体激光二极管的中心部分中的孔。