[发明专利]覆晶发光二极管晶粒及其晶粒阵列

权利要求书

1.一种覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，包括：

一第一型掺杂半导体层；

一第二型掺杂半导体层，铺设于该第一型掺杂半导体层的底面；

一第一电极层，铺设于第一型掺杂半导体层的底面且不接触该第二型掺杂半导体层，且具有一裸露面积以供直接涂布一导电接合剂；

一第二电极层，铺设于第二型掺杂半导体层的底面，且具有一裸露面积以供直接涂布该导电接合剂；以及

一绝缘层，位于该第一电极层与该第二电极层间，以电性隔离且支撑该第一电极层与该第二电极层。

2.根据权利要求1所述的覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，该裸露面积为至少625平方微米，且该导电接合剂为一银胶。

3.根据权利要求1所述的覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，该裸露面积为至少10000平方微米，且该导电接合剂为一锡膏。

4.根据权利要求1所述的覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，还包括一金属反射层，铺设于该第二型掺杂半导体层与该第二电极层间。

5.根据权利要求4所述的覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，还包括一布拉格反射结构，位于该金属反射层与该第二型掺杂半导体层间。

6.根据权利要求1所述的覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，还包括一透光覆盖层，铺设于该第一型掺杂半导体层的顶面。

7.根据权利要求6所述的覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，还包括一粗化结构，位于该透光覆盖层的外表面。

8.根据权利要求6所述的覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，还包括一粗化结构，位于该第一型掺杂半导体层的侧表面。

9.根据权利要求6所述的覆晶发光二极管晶粒，其特征在于，该透光覆盖层为一图案化蓝宝石基板。

10.一种覆晶发光二极管晶粒阵列，其特征在于，包括：

多个如权利要求1～9任一权利要求所述的覆晶发光二极管晶粒；以及

一金属图案层，用以对每一该些第一电极层与第二电极层进行选择性电性连接，以串并联该些覆晶发光二极管晶粒。