[发明专利]影像传感器的像素单元和箝位电路有效
申请号: | 201010203059.2 | 申请日: | 2010-06-10 |
公开(公告)号: | CN102281406A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 刘智民;陈庆丰 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商恒景科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H04N5/357;H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 影像 传感器 像素 单元 箝位 电路 | ||
1.一种影像传感器的像素单元,包含:
传送闸;
源极随耦器;
重置晶体管,受控于字线开关,所述重置晶体管的输出连接至浮动扩散区(FD),以控制所述源极随耦器;以及
光检测器,通过所述传送闸及所述源极随耦器以传送光信号至位线;
其中,第一电源经由电源开关产生第二电源,用以提供电源给所述重置晶体管和所述源极随耦器。
2.如权利要求1所述的影像传感器的像素单元,其中,所述影像传感器为互补金属氧化半导体(CMOS)影像传感器。
3.如权利要求1所述的影像传感器的像素单元,其中,所述光检测器为光电二极管。
4.如权利要求1所述的影像传感器的像素单元,其中,所述重置晶体管和所述源极随耦器为N型MOS晶体管。
5.如权利要求4所述的影像传感器的像素单元,其中,所述重置晶体管的漏极电连接至所述源极随耦器的漏极,并连接至所述第二电源;所述重置晶体管的源极电连接至所述源极随耦器的栅极及所述浮动扩散区;所述重置晶体管的栅极连接至字线,其由所述字线开关所控制;所述光检测器的阳极接地,而阴极则通过所述传送闸电连接至所述浮动扩散区;所述源极随耦器的源极连接至位线,再连接至关联双重取样(CDS)电路。
6.一种影像传感器的像素单元,包含:
传送闸;
源极随耦器;
重置晶体管,受控于字线开关,所述重置晶体管的输出连接至浮动扩散区(FD),以控制所述源极随耦器;以及
光检测器,通过所述传送闸及所述源极随耦器以传送光信号至位线;
其中,第一电源提供电源给所述源极随耦器;所述第一电源通过调节器产生第二电源,其经由第二电源开关以提供电源给所述重置晶体管。
7.如权利要求6所述的影像传感器的像素单元,其中,所述影像传感器为互补金属氧化半导体(CMOS)影像传感器。
8.如权利要求6所述的影像传感器的像素单元,其中,所述光检测器为光电二极管。
9.如权利要求6所述的影像传感器的像素单元,其中,所述重置晶体管和所述源极随耦器为N型MOS晶体管。
10.如权利要求9所述的影像传感器的像素单元,其中,所述重置晶体管的漏极电连接至所述第二电源开关的输出;所述重置晶体管的源极电连接至所述源极随耦器的栅极及所述浮动扩散区;所述重置晶体管的栅极连接至字线,其由所述字线开关所控制;所述光检测器的阳极接地,而阴极则通过所述传送闸电连接至所述浮动扩散区;所述源极随耦器的源极连接至位线,再连接至关联双重取样(CDS)电路;所述源极随耦器的漏极连接至所述第一电源。
11.一种影像传感器的箝位电路,包含:
第一电源及第二电源,所述第二电源是将所述第一电源通过电源开关所产生;
箝位器,受控于箝位电压;及
偏压晶体管,其和所述箝位器串联于所述第二电源和地之间;
其中,所述箝位器和所述偏压晶体管之间的节点电连接至位线。
12.如权利要求11所述的影像传感器的箝位电路,其中,所述箝位器为N型MOS晶体管,其栅极接收所述箝位电压。
13.如权利要求12所述的影像传感器的箝位电路,还包含:
定电流源;以及
箝位调整电阻,电连接至所述箝位器的栅极,其中,流过所述箝位调整电阻的电流由所述定电流源所提供。
14.如权利要求11所述的影像传感器的箝位电路,还包含箝位致能开关,其串联于所述箝位器和所述偏压晶体管,当所述箝位致能开关为闭合时,则开启所述箝位器的箝位功能,当所述箝位致能开关为开断时,则关闭所述箝位器的箝位功能。
15.一种影像传感器的箝位电路,包含:
第一电源及第二电源,所述第二电源是将所述第一电源通过调节器所产生;
第二电源开关,周期性对所述第一电源进行取样保持,以提供给所述调节器;
箝位器,受控于箝位电压,其经由调整所述第二电源所得到;以及
偏压晶体管,其和所述箝位器串联于所述第二电源和地之间;
其中,所述箝位器和所述偏压晶体管之间的节点电连接至位线。
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