[发明专利]一种环形结构的制作方法

权利要求书

1.一种环形结构的制作方法，其特征在于包括：

步骤(1)提供前端器件层，在所述前端器件层上形成结构层，在所述结构层上形成掩膜层，在所述掩膜层上形成底部抗反射层，在所述底部抗反射层上形成带有圆孔图案的光刻胶层；

步骤(2)以所述带有圆孔图案的光刻胶层为掩膜对所述底部抗反射层及所述掩膜层进行刻蚀，以在所述掩膜层中形成圆孔；

步骤(3)在所述掩膜层中的圆孔的内侧形成环形侧壁层；

步骤(4)刻蚀掉剩余的所述掩膜层，保留所述环形侧壁层；和

步骤(5)以所述环形侧壁层为掩膜，对所述结构层进行刻蚀，以使所述结构层成为所述环形结构，并剥离所述环形侧壁层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤(1)还包括：在所述结构层上形成掩膜层之前，在所述结构层上形成保护层；并且所述步骤(5)为：以所述环形侧壁层为掩膜，依次对所述保护层和所述结构层进行刻蚀，以使所述结构层成为所述环形结构，并剥离所述保护层和所述环形侧壁层。

3.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述环形侧壁层的形成方法为：在所述掩膜层上的圆孔的底面、内侧和所述掩膜层的上表面沉积一层侧壁层，刻蚀掉覆盖在所述底面和所述上表面的侧壁层。

4.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述侧壁层采用钛与氮化钛的混合物、钽与氮化钽的混合物或者含有钨的化合物制成。

5.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述结构层采用制作磁性随机存取存储器的磁通道结阵列的材料来制作。

6.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述制作磁性随机存取存储器的磁通道结阵列的材料包含选自镁、钴、铂、铁、铷和锰中的至少一种金属元素。

7.如权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述侧壁层采用工艺温度小于350度的金属材料制成。