[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效

申请号：	201010205472.2	申请日：	2010-06-10
公开（公告）号：	CN101894760A	公开（公告）日：	2010-11-24
发明（设计）人：	李刘中;陈佳榆	申请（专利权）人：	友达光电股份有限公司
主分类号：	H01L21/34	分类号：	H01L21/34;H01L21/44;H01L21/465;H01L29/786
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司 11127	代理人：	樊一槿
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在一基板上形成一栅极；

在所述基板上形成一栅绝缘层，以覆盖所述栅极；

所述栅绝缘层上形成一金属氧化物半导体通道层；

在所述栅绝缘层及所述金属氧化物半导体通道层上形成一源极及一漏极，而所述源极及所述漏极的形成方法包括：

依序形成一第一导体层及一第二导体层；

在所述第二导体层上形成一图案化光阻层；

以所述图案化光阻层为掩膜并以所述第一导体层为终止层进行一湿式蚀刻，以图案化所述第二导体层；

以所述图案化光阻层为掩膜进行一干式蚀刻，以图案化所述第一导体层，其中所述金属氧化物半导体通道层的部分区域被所述源极及所述漏极暴露；以及

以含氟的气体对未被所述源极及所述漏极覆盖的所述金属氧化半导体通道层进行一表面处理。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一导体层为钛金属层，所述第二导体层为铝金属层、钼金属层或铝/钼叠层，而所述湿式蚀刻是藉由铝酸来图案化所述第二导体层。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述干式蚀刻是藉由BCl₃或Cl₂作为电浆蚀刻气体来图案化所述第一导体层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述表面处理是藉由CF₄与O₂混合或SF₆与O₂混合来改善所述金属氧化半导体通道层的信赖性。

5.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在一基板上形成一栅极；

在所述基板上形成一栅绝缘层，以覆盖所述栅极；

在所述栅绝缘层上形成一金属氧化物半导体通道层；

在所述栅绝缘层及所述金属氧化物半导体通道层上形成一源极及一漏极，而所述源极及所述漏极的形成方法包括：

依序形成一第一导体层及一第二导体层；

在所述第二导体层上形成一图案化光阻层；

以所述图案化光阻层为掩膜并以所述第一导体层为终止层进行一第一干式蚀刻，以图案化所述第二导体层；以及

以所述图案化光阻层为掩膜进行一第二干式蚀刻，以图案化所述第一导体层，其中所述金属氧化物半导体通道层的部分区域被所述源极及所述漏极暴露，所述第二干式蚀刻是以含氟的气体来图案化所述第一导体层，而在所述第一导体层被图案化之后，所述含氟的气体对未被所述源极及所述漏极覆盖的所述金属氧化物半导体通道层进行一表面处理。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第一导体层为钼金属层，所述第二导体层为铝金属层、钛金属层或铝/钛叠层，而所述第一干式蚀刻是藉由BCl₃/Cl₂作为电浆蚀刻气体来图案化所述第二导体层。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述第二干式蚀刻是藉由SF₆/O₂或CF₄/O₂作为电浆蚀刻气体来图案化所述第一导体层。

8.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

一栅极；

一栅绝缘层，覆盖所述栅极；

一金属氧化物半导体通道层，配置于所述栅绝缘层上，其中所述金属氧化物半导体通道层位于所述栅极上方；以及

一源极及一漏极，配置于所述栅绝缘层及所述金属氧化物半导体通道层上，其中所述源极及所述漏极的材质包括第一图案化导体层和/或第二图案化导体层的叠层。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一图案化导体层为钛金属层，而所述第二图案化导体层为铝金属层、钼金属层或铝/钼叠层。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一图案化导体层为钼金属层，而所述第二图案化导体层为铝金属层、钛金属层或铝/钛叠层。

11.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二图案化导体层具有倾斜侧壁。

12.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二图案化导体层的面积小于所述第一图案化导体层的面积，且所述第二图案化导体层的外轮廓不超出所述第一图案化导体层的外轮廓。

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