[发明专利]自带短路保护功能的垂直发光二极管

权利要求书

1.自带短路保护功能的垂直发光二极管，

一第一电极；

一散热基板，形成于第一电极上；

一第二电极，形成于散热基板上；

一焊接金属，形成于第二电极上；

一第三电极，形成于焊接金属上；

一半导体发光叠层形成于第三电极上的中央区域，此半导体发光叠层提供发光作用；

一半导体发光叠层护栏形成于第三电极上并位于第三电极外围区域，半导体发光叠层护栏间隔环绕于半导体发光叠层的四周；此半导体发光叠层护栏具有与半导体发光叠层完全相同的结构，间隔的半导体发光叠层护栏与半导体发光叠层之间的为一隔离槽；隔离槽底部为第三电极，半导体发光叠层护栏对半导体发光叠层起短路保护作用；

一第四电极，形成于半导体发光叠层上。

2.如权利要求1所述的自带短路保护功能的垂直发光二极管，其特征在于：散热基板的制备材料选自GaAs、Ge、Si、Mo、Cu或WCu。

3.如权利要求1所述的自带短路保护功能的垂直发光二极管，其特征在于：所述的半导体发光叠层护栏与半导体发光叠层之间的隔离槽通过蚀刻方式形成。

4.如权利要求1所述的自带短路保护功能的垂直发光二极管，其特征在于：半导体发光叠层依次由第一导电性的半导体层、活性层、第二导电性的半导体层叠层连接构成。

5.如权利要求1、3或4所述的自带短路保护功能的垂直发光二极管，其特征在于：半导体发光叠层护栏中，第一导电性半导体层材料包括GaN，活性层材料包括InGaN，第二导电性半导体层材料包括GaN；在活性层与第二导电性半导体层之间还形成一第二导电性限制层，第二导电性限制层材料包括InGaN或AlGaN。