[发明专利]一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法无效
申请号: | 201010205734.5 | 申请日: | 2010-06-14 |
公开(公告)号: | CN101844771A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
发明(设计)人: | 李文翠;孙涛 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | C01B33/16 | 分类号: | C01B33/16 |
代理公司: | 大连八方知识产权代理有限公司 21226 | 代理人: | 卫茂才 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压下 制备 疏水 二氧化硅 凝胶 方法 | ||
1.一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,该方法是以无机硅源或有机硅源作为原料,首先配制一定比例硅源和溶剂的混合溶液,然后再用一步酸催化或酸、碱两步催化制得凝胶,所得凝胶陈化一段时间后,经溶剂置换,硅烷基的表面修饰剂修饰使二氧化硅凝胶表面疏水,再经过常压干燥得到疏水性的二氧化硅气凝胶,该方法包括以下步骤:
(1)将无机硅源或有机硅源与溶剂混合,无机硅源所占混合溶液的质量比在5-40%范围内,有机硅源所占混合溶液的质量比在2-30%范围内,然后在混合均匀的溶液中加入酸,采用无机硅源时,调节pH值为1-6;采用有机硅源时,混合液再用碱性溶液调节pH值为4-7;静置时间为2-10小时,静置温度为15-80℃;
(2)待上述溶液变为凝胶后,陈化2-12小时,然后加入溶剂进行置换和用表面修饰剂进行表面修饰;
(3)常压干燥后即得二氧化硅气凝胶,常压干燥温度为80-200℃。
2.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,所述的有机硅源为正硅酸四乙酯,无机硅源为硅酸钠,溶剂为乙醇和水,酸为盐酸、硝酸或草酸。
3.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,所述的碱溶液为氨水溶液、碳酸钠溶液或碳酸氢氨溶液中的一种。
4.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在,所述的溶剂为乙醇、丙酮、正己烷或庚烷。
5.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,所述的表面修饰剂为三甲基氯硅烷、六甲基二硅氮烷、双(三甲硅基)乙酰胺、甲氧基三甲基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷或甲基三甲氧基烷。
6.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,所述的陈化时间为4-7小时,干燥温度为80-110℃。
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