[发明专利]一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法无效

专利信息
申请号: 201010205734.5 申请日: 2010-06-14
公开(公告)号: CN101844771A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 李文翠;孙涛 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C01B33/16 分类号: C01B33/16
代理公司: 大连八方知识产权代理有限公司 21226 代理人: 卫茂才
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 压下 制备 疏水 二氧化硅 凝胶 方法
【权利要求书】:

1.一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,该方法是以无机硅源或有机硅源作为原料,首先配制一定比例硅源和溶剂的混合溶液,然后再用一步酸催化或酸、碱两步催化制得凝胶,所得凝胶陈化一段时间后,经溶剂置换,硅烷基的表面修饰剂修饰使二氧化硅凝胶表面疏水,再经过常压干燥得到疏水性的二氧化硅气凝胶,该方法包括以下步骤:

(1)将无机硅源或有机硅源与溶剂混合,无机硅源所占混合溶液的质量比在5-40%范围内,有机硅源所占混合溶液的质量比在2-30%范围内,然后在混合均匀的溶液中加入酸,采用无机硅源时,调节pH值为1-6;采用有机硅源时,混合液再用碱性溶液调节pH值为4-7;静置时间为2-10小时,静置温度为15-80℃;

(2)待上述溶液变为凝胶后,陈化2-12小时,然后加入溶剂进行置换和用表面修饰剂进行表面修饰;

(3)常压干燥后即得二氧化硅气凝胶,常压干燥温度为80-200℃。

2.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,所述的有机硅源为正硅酸四乙酯,无机硅源为硅酸钠,溶剂为乙醇和水,酸为盐酸、硝酸或草酸。

3.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,所述的碱溶液为氨水溶液、碳酸钠溶液或碳酸氢氨溶液中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在,所述的溶剂为乙醇、丙酮、正己烷或庚烷。

5.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,所述的表面修饰剂为三甲基氯硅烷、六甲基二硅氮烷、双(三甲硅基)乙酰胺、甲氧基三甲基硅烷、二甲氧基二甲基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷或甲基三甲氧基烷。

6.根据权利要求1所述的一种常压下制备超疏水性二氧化硅气凝胶的方法,其特征在于,所述的陈化时间为4-7小时,干燥温度为80-110℃。

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