[发明专利]手术和非手术应用的硅刀片

权利要求书

1.一种利用结晶材料晶片制造至少一个切削装置的方法，包括：

在结晶材料晶片的第一侧面上加工第一刀片轮廓，其中所述第一刀片轮廓包括第一刻面，所述第一刻面包括所述至少一个切削装置的切削刃，所述第一刀片轮廓还包括毗邻第一刻面的第二刻面；

在结晶材料晶片的第二侧面上加工第二刀片轮廓，其中所述第二刀片轮廓包括第三刻面，所述第三刻面与所述第一刻面一同包括所述至少一个切削装置的切削刃，所述第二刀片轮廓还包括毗邻第三刻面的第四刻面；以及

蚀刻结晶材料晶片，以形成至少一个切削装置；

其中所述蚀刻包括各向同性地蚀刻所述结晶材料的至少第一侧面，以形成包括至少第一刀片轮廓的至少一部分的至少一个切削装置。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将所述至少一个切削装置分成单个的。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻步骤包括：

形成第一内含角，所述第一内含角包括第一斜面的第一角度；以及

形成第二内含角，所述第二内含角包括第二斜面的第二角度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述结晶材料晶片的第一侧面上加工第一刀片轮廓的步骤包括：

以第一角度加工第一刻面；以及

以第二角度加工第二刻面。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述结晶材料晶片的第二侧面上加工第二刀片轮廓的步骤包括：

以第一角度加工第三刻面；以及

以第二角度加工第四刻面。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

涂布所加工的结晶材料晶片的第一侧面。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述涂布步骤包括：

用选自以下物质的一层材料涂布所加工的结晶材料晶片的第一侧面：氮化硅、氮化钛、氮化钛铝、二氧化硅、碳化硅、碳化钛、氮化硼和金刚石样晶体。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在加工结晶材料晶片的步骤之后涂布结晶材料晶片的所述第一侧面；以及

在蚀刻步骤之前安装涂布所述第一侧面后的结晶材料晶片。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述涂布步骤包括：

用选自以下物质的一层材料涂布所形成的结晶材料晶片的所述第一侧面：氮化硅、氮化钛、氮化钛铝、二氧化硅、碳化硅、碳化钛、氮化硼和金刚石样晶体。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结晶材料包括硅。

11.一种根据权利要求1所述方法制造的切削装置。

12.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述至少一个切削装置的表面上形成转化层。