[发明专利]一种制备GaN纳米线的方法

权利要求书

1.一种制备GaN纳米线的方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：

步骤1：制备镓源凝胶前驱体粉末

将质量浓度为68%的分析纯硝酸与质量浓度为37%的分析纯盐酸按照体积比为1：1混合得到混合酸溶液，按照质量比为5:78称取金属镓及混合酸溶液，将金属镓加入到混合酸溶液中，反应直至金属镓完全溶解，得到溶解了镓的酸溶液，向溶解了镓的酸溶液中缓慢添加浓氨水，将PH值调节为7.2~8；然后缓慢向溶解了镓的酸溶液中添加柠檬酸，直至溶液中形成溶胶；然后持续加热1~3小时，冷却后得到褐色凝胶；将褐色凝胶在380~420℃条件下煅烧1~3小时，得到灰黑色多层状产物，将灰黑色多层状产物进行研磨，得到镓源凝胶前驱体粉末；

步骤2：制备GaN纳米线

将衬底清洗后放入质量浓度为2%~8%的Ni(NO₃)₂酒精溶液中，浸泡8~18小时，在温度为90~110℃条件下烘干，将步骤1得到的前躯体粉末和烘干后的衬底放入石英舟内，将石英舟置于电阻炉的恒温区，向电阻炉内通入流量为500ml/min的氮气，然后按照升温制度进行加热，即完成在衬底上制备GaN纳米线。

2.根据权利要求1所述的制备GaN纳米线的方法，其特征在于，所述步骤2中的升温制度，具体按照以下步骤实施：首先，将电阻炉的温度设置为310℃，保温30min，然后以10℃/min的升温速率升温，当电阻炉温度达到1000~1100℃后，向炉腔内通入流量为500ml/min的氨气，反应60~100min，再通入流量为500ml/min的氮气，自然冷却至750℃，保温30min，再自然冷却至室温。