[发明专利]具有双温度区的静电吸盘的衬底支架

权利要求书

1.一种用于在处理腔室中容纳衬底的静电吸盘，所述静电吸盘包括：

a)陶瓷圆盘，包括：

i)衬底容纳表面，具有多个台面的突起平台，所述突起平台由凹槽图案分开；

ii)多个热传送气体导管，穿过所述陶瓷圆盘并且在衬底容纳表面上所述凹槽图案的外围端口及中心端口终止，所述气体导管能够为所述衬底容纳表面的不同区域提供热传送气体；以及

iii)外围壁架，具有第一台阶和第二台阶，所述第二台阶从第一台阶径向向外并且比所述第一台阶低；

b)电极，嵌在所述陶瓷圆盘中以产生静电力从而保持设置在所述衬底容纳表面上的衬底。

2.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述多个台面的突起平台各包括从约10至约1000个台面。

3.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述台面为突起的圆柱突起。

4.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述台面具有从约5微米至约50微米的平均直径。

5.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述台面具有从约0.5毫米至约5毫米的高度。

6.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述凹槽图案包括彼此互连的径向臂和环形臂。

7.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述外围端口在弓形切块处终止。

8.根据权利要求7所述的吸盘，其特征在于，还包括围绕所述外围端口的径向内气体密封边和径向外气体密封边。

9.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述凹槽图案包括中心和径向凹槽，其中所述中心端口在所述中心和径向凹槽的相交处终止。

10.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述陶瓷圆盘含有铝的氧化物、铝的氮化物、硅的氧化物、硅的碳化物、硅的氮化物、钛的氧化物、锆的氧化物、或者它们的混合物。

11.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述突起平台各具有弓形侧边缘。

12.根据权利要求1所述的吸盘，其特征在于，所述中心端口及外围端口分别限定中心加热区域和外围加热区域。

13.一种包括底座和根据权利要求1所述的静电吸盘的衬底支架，其中所述底座包括：

(a)具有吸盘容纳部分和径向向外延伸的外围部分的金属主体；以及

(b)盘旋流体沟道。

14.根据权利要求13所述的衬底支架，其特征在于，所述盘旋流体沟道包括多个在整个所述底座上不对称分布的多个弧形隆起区域。