[发明专利]存储器

权利要求书

1.一种存储器，包括：

多个存储设备，每个存储设备都包括隧道磁阻效应器件，所述隧道磁阻效应器件包含：

磁化自由层，其中，磁化方向能够反转，

隧道阻挡层，包括绝缘材料，以及

磁化固定层，相对于所述磁化自由层介由所述隧道阻挡层进行设置，具有固定的磁化方向；

随机存取存储区，其中，使用所述存储设备的所述磁化自由层的所述磁化方向来记录信息；以及

只读存储区，其中，根据所述存储设备的所述隧道阻挡层是否存在击穿来记录信息。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，在所述随机存取存储区中的所述存储设备和在所述只读存储区中的所述存储设备被配置在同一芯片中。

3.根据权利要求1所述的存储器，进一步包括电压供给单元，通过向所述只读存储区中的所述存储设备施加比所述隧道阻挡层的击穿耐受电压高的电压来供给用于引起击穿的电压。

4.根据权利要求1所述的存储器，进一步包括电流供给单元，通过旋转注入将电流提供至所述随机存取存储区中的所述存储设备，用于通过反转所述磁化自由层的所述磁化方向来记录信息。

5.根据权利要求1所述的存储器，进一步包括从外部输入信息的输入单元，其中，响应于输入至所述输入单元的信息的内容，所述多个存储设备的一部分存储设备被分配给所述随机存取存储区，而其它存储设备被分配给所述只读存储区。