[发明专利]基板及其制造方法以及液晶显示器、触摸寻址方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上形成有由栅线和数据线交叉围设的用于显示的亚像素，其特征在于，所述衬底基板上还形成有由栅线和数据线交叉围设的触摸感应像素，所述触摸感应像素包括感应薄膜晶体管、电容、开关元件和信号线；

所述电容，由所述衬底基板上的栅金属薄膜和数据线金属薄膜交叠形成；其第一端连接所述感应薄膜晶体管的漏极，第二端连接第一栅线，所述第一栅线为所述栅线中的其中一条，有触摸发生时所述第一端的电压高于无触摸发生时所述第一端的电压；

所述感应薄膜晶体管，其栅极连接所述第一栅线，源极连接充电电源，用于在所述第一栅线开启时为所述电容充电；

所述开关元件，连接在所述电容的第一端与所述信号线之间，用于将所述第一端的电压输出至所述信号线；

所述信号线，用于将所述第一端的电压输出至驱动电路，由所述驱动电路根据所述第一端的电压增大时判定发生触摸事件。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开关元件包括第一薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管的栅极连接第三栅线，所述第三栅线为所述栅线中的一条且位于所述第一栅线上方且与所述第一栅线间隔一条栅线设置，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述电容的第一端，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述信号线。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开关元件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

所述第一薄膜晶体管的栅极连接第三栅线，所述第三栅线为所述栅线中的一条且位于所述第一栅线上方且与所述第一栅线间隔一条栅线设置，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第二薄膜晶体管的漏极，所述第一薄膜晶体管的漏极连接所述信号线；

所述第二薄膜晶体管的源极连接第一电源，所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述电容的第一端。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述充电电源为第二栅线，所述第二栅线为所述栅线中的一条，位于所述第一栅线上方且相邻；所述第一电源为形成在阵列基板上的公共电极线。

5.根据权利要求1～4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和漏极为梳状结构。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线与所述数据线平行设置。

7.一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在衬底基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺刻蚀所述栅金属薄膜，形成包括栅线、栅极、公共电极线以及电容第二端的图案；

步骤2、在形成上述图案的衬底基板上形成栅绝缘层、半导体层薄膜和数据线金属薄膜；通过构图工艺刻蚀所述数据线金属薄膜和半导体层薄膜，形成包括半导体层、数据线、源极、漏极、信号线以及电容第一端的图案；

其中，所述栅极、源极、漏极和半导体层形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括亚像素中的薄膜晶体管和感应像素中的感应薄膜晶体管；所述感应薄膜晶体管形成在触摸感应像素内，所述感应薄膜晶体管的栅极连接第一栅线，所述第一栅线为所述栅线中的其中一条；所述感应薄膜晶体管源极连接充电电源，所述感应薄膜晶体管漏极连接所述电容的第一端；所述电容的第二端连接所述第一栅线；所述电容的第一端通过开关元件与所述信号线连接；所述感应薄膜晶体管、电容、开关元件和信号线组成触摸感应像素；

步骤3、在形成上述图案的衬底基板上形成钝化层，通过构图工艺刻蚀所述钝化层形成钝化层过孔的图案；

步骤4、在形成上述图案的衬底基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺刻蚀所述透明导电薄膜形成包括亚像素的像素电极和触摸感应像素中的过孔连接图案；所述像素电极通过所述钝化层过孔与所述薄膜晶体管的漏极连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤2中包括：

所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管作为所述开关元件；所述第一薄膜晶体管的源极连接所述电容的第一端，漏极连接所述信号线，栅极连接第三栅线，所述第三栅线为所述栅线中的一条且位于所述第一栅线上方且间隔一条栅线设置；

所述步骤3中形成钝化层过孔的图案包括：形成第一薄膜晶体管的源极与所述电容第一端的连接过孔，以及，所述第一薄膜晶体管的栅极与第三栅线连接过孔。