[发明专利]以太网端口电路无效
申请号: | 201010208797.6 | 申请日: | 2010-06-17 |
公开(公告)号: | CN102290804A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 刘伟;汤金根;侯必艺 | 申请(专利权)人: | 杭州华三通信技术有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04;H04L12/02 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 王一斌;王琦 |
地址: | 310053 浙江省杭州市高新技术产业*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 以太网 端口 电路 | ||
技术领域
本发明涉及端口防雷技术,特别涉及一种以太网端口电路。
背景技术
现有技术中,例如交换机等网络设备通常采用集成百兆以太网端口(10/100Base-TX)或集成千兆以太网端口(1000Base-T),相邻网络设备的以太网端口之间会通过例如双绞线等以太线缆连接。
在实际应用中,网络设备之间的以太线缆布线会存在多种问题,尤其在室外布线时,以太线缆容易受到雷击而产生高压静电,如果以太网端口没有进行防雷保护,则极易受到高压静电的损害而产生较大的差模电压和共模电压,从而导致端口失效。
如图1所示,现有的百兆以太网端口电路通常包括分别位于变压器两侧的连接器和物理层(PHY)芯片,其中:
连接器与变压器之间连接有两对差分线TX+和TX-、RX+和RX-,PHY芯片与变压器之间也连接有两对差分线TD+和TD-、RD+和RD-;
为了实现每对差分线之间的差模防护,在PHY芯片与变压器之间,每根差分线分别串联有电阻,即差分线TD+串联有R01、差分线TD-串联有R02、差分线RD+串联有R03、差分线RD-串联有R04,且,每对差分线之间分别通过背向放置的两个瞬态电压抑制二极管(Transient VoltageSuppression,TVS)相连,即TD+和TD-之间通过背向放置的TVS11和TVS12相互连接、RD+和RD-之间通过背向放置的TVS21和TVS22相互连接。
这样,当雷击产生的高压静电由连接器通过变压器向PHY芯片传导时,会导致每对差分线之间的电压过高,此时,即可由每对差分线之间的TVS将电流泄放至每根差分线上串联的电阻、用以将电能转化为热能,从而实现差分线之间的差模防护。
虽然采用背向放置的TVS能够实现差模防护,但一个百兆以太网端口就需要4个TVS,相应地,一个千兆以太网端口则需要8个TVS,由于TVS成本较高,那么随着以太网端口数量的增加,实现差模防护的成本也就会随之升高。
此外,仍参见图1,现有以太网端口电路中,变压器于PHY芯片一侧对应差分线TD+和TD-的中心抽头TDC、对应差分线RD+和RD-的中心抽头TDC则分别通过电容C01和C02接地;变压器于连接器一侧对应差分线TX+和TX-的中心抽头TXC、对应差分线RX+和RX-的中心抽头RXC分别通过电阻R05和R06接至电容C03,并通过电容C03串联至地;连接器还具有4根闲置线通过电阻R07连接至电容C03,并通过电容C03串联至地。
这样,当雷击产生的高压静电由连接器通过变压器向PHY芯片传导时,各对差分线上会产生较大的共模电压、但却无法通过中心抽头释放至地,即无法实现共模防护。
可见,现有以太网端口电路实现差模防护的成本过高、且无法实现共模防护。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种以太网端口电路,能够节省差模防护的成本,还能够进一步实现共模防护。
本发明提供的一种以太网端口电路,包括:
分别位于变压器两侧的连接器和物理层芯片,连接器与变压器之间、以及物理层芯片与变压器之间分别连接有相同数量的若干对差分线;
在连接器与变压器之间、或物理层芯片与变压器之间,每根差分线分别串联有电阻、每对差分线之间分别通过导通方向相反的两路串联二极管相互连接;其中,每路串联二极管的导通电压之和,大于该路串联二极管所在的一对差分线之间的电压差。
每对差分线之间的电压差为2.8V、每路串联4个导通电压大于0.7V的二极管。
每根差分线串联有两个电阻,导通方向相反的两路串联二极管的两端连接于差分线的两个电阻之间。
变压器于连接器一侧对应各对差分线的中心抽头,通过可在过电压产生时将两端电压嵌位至预定值的第一器件接地。
第一器件为压敏电阻。
压敏电阻的嵌位电压为360V。
连接器与变压器之间、以及物理层芯片与变压器之间的差分线均为2对;
且,连接器进一步具有4根闲置线,4根闲置线通过可在过电压产生时将两端电压嵌位至预定值的第二器件接地。
第二器件为压敏电阻。
压敏电阻的嵌位电压为360V。
连接器与变压器之间、以及物理层芯片与变压器之间的差分线均为4对。
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