[发明专利]一种三相溶剂气助萃取方法有效
申请号: | 201010209891.3 | 申请日: | 2010-06-18 |
公开(公告)号: | CN102284191A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 刘会洲;于品华;赵君梅;黄昆;安振涛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院过程工程研究所 |
主分类号: | B01D11/04 | 分类号: | B01D11/04 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 李柏 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三相 溶剂 萃取 方法 | ||
1.一种三相溶剂气助萃取方法,其是在使用一种三相溶剂气助萃取设备上进行的,其特征是:所述设备包括底部带有气体入口的气浮柱,所述气浮柱由下至上依次包括下相传质区、中相传质区和上相传质区,其中,所述下相传质区包括位于下相传质区底部的气体分布器,在所述下相传质区中填充有盐水相,所述盐水相中含有待分离的疏水性有机物或离子型物质;所述中相传质区中填充有聚合物相;所述上相传质区中填充有有机溶剂相;
将气体从所述的气浮柱底部的所述气体入口通入气浮柱中,通入的气体通过所述的气体分布器后进入所述的下层盐水相中进行鼓泡,产生的气泡携带着所述盐水相中的所述的待分离的疏水性有机物或离子型物质向上传递,下层盐水相中的待分离的疏水性有机物或离子型物质经过所述的中相传质区和所述的上相传质区,下层盐水相中的疏水性有机物或离子型物质被萃取到中相传质区中填充的聚合物相中和上相传质区中填充的有机溶剂相中,完成三相溶剂气助萃取过程;
所述的待分离的离子型物质为无机金属离子或非金属离子。
2.根据权利要求1所述的三相溶剂气助萃取方法,其特征是:所述下相传质区的体积占气浮柱的总体积的60~90%;中相传质区的体积占气浮柱的总体积的5~20%;上相传质区的体积占气浮柱的总体积的5~20%。
3.根据权利要求1所述的三相溶剂气助萃取方法,其特征是:所述通入的气体的速度为大于0ml/min小于等于40ml/min。
4.根据权利要求3所述的三相溶剂气助萃取方法,其特征是:所述通入的气体的速度为10~30ml/min。
5.根据权利要求1、3或4所述的三相溶剂气助萃取方法,其特征是:所述的气体选自惰性气体或者空气中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的三相溶剂气助萃取方法,其特征是:所述下相传质区中填充的盐水相是由水和无机盐组成,其中盐水相中的无机盐的质量百分浓度范围为20~40%;
所述无机盐选自硫酸盐、磷酸盐、碳酸盐中的一种或多种;
所述中相传质区中填充的聚合物相是聚合物的水溶液,其中聚合物相中的聚合物的质量百分浓度为40~60%;
所述聚合物选自聚乙二醇、聚氧乙烯-聚氧丙烯无规共聚物或者聚氧乙烯-聚氧丙烯-聚氧乙烯三亲嵌段共聚物中的一种或多种;
所述上相传质区中填充的有机溶剂相是有机溶剂,所述的有机溶剂选自C6~C12的烷烃、芳烃、取代烷烃、醇、酮、醚、酯、膦、胺中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的三相溶剂气助萃取方法,其特征是:所述的芳烃为苯、甲苯、二甲苯、乙基苯中的一种;
所述的取代烷烃为C6~C12卤代烷烃中的一种,卤素为F、Cl或Br;
所述的醇为辛醇、二乙基己基醇中的一种;
所述的酮为甲基异丁基酮、2-庚酮、环己酮中的一种;
所述的醚为丙醚、异丙醚、丁醚中的一种;
所述的酯为乙酸丁酯、醋酸戊酯、苯甲酸甲酯中的一种;
所述的膦为磷酸三丁酯、磷酸二(2-乙基己基)酯、2-乙基己基磷酸单(2-乙基己基)酯中的一种;
所述的胺为三辛胺、三烷基胺、氯化三烷基甲胺中的一种。
8.根据权利要求1所述的三相溶剂气助萃取方法,其特征是:所述疏水性有机物选自色素、苯酚、取代的苯酚、卤代烃、卤代芳烃中的一种或几种;
所述的金属选自Fe、Cu、Ir、Rh、Cr、U、Co、Cd、Pd、Pt中的一种或几种;所述的非金属是I、As或它们的混合物。
9.根据权利要求8所述的三相溶剂气助萃取方法,其特征是:所述取代的苯酚是硝基苯酚、氯代苯酚或它们的混合物;
所述卤代烃是C6~C12的卤代脂肪烃,卤素为F、Cl或B r;
所述卤代芳烃是卤代苯或卤代联苯,卤素为F、Cl或Br。
10.根据权利要求1所述的三相溶剂气助萃取方法,其特征是:所述的气体分布器是砂芯漏斗。
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