[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：

栅极线；

数据线，与所述栅极线交叉；

存储电极，与所述栅极线和所述数据线分离；

薄膜晶体管，连接至所述栅极线和所述数据线并具有漏电极；

像素电极，连接到所述漏电极；

第一绝缘层，位于所述薄膜晶体管之上并设置在所述像素电极下；以及

第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，具有开口，用于露出所述存储电极上的所述第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第一绝缘层由无机材料制成。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第二绝缘层由有机材料制成。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述第二绝缘层包括滤色器。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述存储电极由与所述栅极线相同的层形成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，用于连接所述像素电极和所述漏电极的接触孔被设置在所述开口中。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其进一步包括：

屏蔽电极，由与所述像素电极相同的层形成。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极和所述像素电极被设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述存储电极由所述屏蔽电极形成，并且从所述屏蔽电极伸出。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述存储电极与所述漏电极重叠。

11.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极被延伸至所述数据线。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极完全覆盖所述数据线的边界。

13.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极覆盖所述栅极线的至少一部分。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极被延伸至所述数据线和所述栅极线。

15.根据权利要求14所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述屏蔽电极的宽度大于所述数据线的宽度并小于所述栅极线的宽度。

16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述像素电极具有切口。

17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，所述像素电极包括第一像素电极和耦合至所述第一像素电极的第二像素电极。

18.根据权利要求17所述的薄膜晶体管阵列面板，进一步包括：

耦合电极，连接至所述漏电极并与所述第二像素电极重叠，

其中，所述耦合电极仅通过所述第一绝缘层与所述第二像素电极重叠。