[发明专利]具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构

权利要求书

1.一种具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构包括：

一蓝宝石基板(10)；

一具有图案花纹的介电层(20)，所述介电层(20)埋设于所述蓝宝石基板(10)的表面，且所述介电层(20)为两种不同折射率的材料交互叠置而成；

一发光层(30)，所述发光层(30)成长于所述蓝宝石基板(10)与所述介电层(20)上。

2.根据权利要求1所述的具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述发光层(30)包含一N型半导体层(31)、一活化层(32)与一P型半导体层(33)。

3.根据权利要求2所述的具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述N型半导体层(31)与所述P型半导体层(33)上分别镀有一N型电极(34)与一P型电极(35)。

4.根据权利要求2所述的具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述N型半导体层(31)与所述P型半导体层(33)由氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓与氮化铝中的任一种制成。

5.根据权利要求2所述的具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述活化层(32)包含一氮化铝铟镓的周期结构形成的多层量子井。

6.根据权利要求1所述的具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述介电层(20)中的折射率较高者选自五氧二钽、二氧化铪、二氧化钛、五氧二铌、二氧化铈、三氧化锂铌、氧化锌、氧化铟锡和二氧化锆中的任一种，所述介电层(20)中的折射率较低者选自二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述介电层(20)的图案花纹为周期性图案，且选自圆柱、多边形柱和条状中的任一种。

8.根据权利要求7所述的具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述介电层(20)的图案的表面积为0.2平方微米至100平方微米。

9.根据权利要求7所述的具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述介电层(20)的图案间距为0.5微米至10微米。

10.根据权利要求7所述的具有高反射与低缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于，所述介电层(20)的高度为0.1微米至5微米。