[发明专利]具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管

权利要求书

1.一种具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，包含：

一蓝宝石基板(10)；

一发光层(30)，所述发光层(30)成长于所述蓝宝石基板(10)上；

一布拉格薄膜(20)，所述布拉格薄膜(20)设于所述蓝宝石基板(10)的远离所述发光层(30)的一侧，且所述布拉格薄膜(20)具有至少两个薄膜层(21、22)，所述至少两个薄膜层(21、22)为两种不同折射率的材料交互叠置；以及

一金属层(40)，所述金属层(40)设于所述布拉格薄膜(20)上。

2.根据权利要求1所述的具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，所述发光层(30)包含一N型半导体层(31)、一活化层(32)与一P型半导体层(33)。

3.根据权利要求2所述的具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，所述N型半导体层(31)与所述P型半导体层(33)上分别镀有一N型电极(34)与一P型电极(35)。

4.根据权利要求2所述的具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，所述N型半导体层(31)与所述P型半导体层(33)由氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓、磷化镓、磷化铝铟镓、磷化铝铟与砷化铝镓中的任一种制成。

5.根据权利要求2所述的具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，所述活化层(32)为氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓、磷化镓、磷化铝铟镓、磷化铝铟与砷化铝镓中的任一种的量子井搭配阻挡层的周期性结构。

6.根据权利要求1所述的具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，所述布拉格薄膜(20)的薄膜层折射率较高者为折射率大于1.7的高折射率光学薄膜材料，所述布拉格薄膜(20)的薄膜层折射率较低者为折射率低于1.7的低折射率光学薄膜材料。

7.根据权利要求6所述的具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，高折射率光学薄膜材料选自二氧化钛、多氮化硅、五氧化二钽、氧化锆中的任一种。

8.根据权利要求6所述的具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，低折射率光学薄膜材料选自二氧化硅、氟化镁中的任一种。

9.根据权利要求1所述的具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，所述金属层(40)选自银与铝中的任一种。

10.根据权利要求1所述的具备布拉格薄膜与金属层的发光二极管，其特征在于，所述布拉格薄膜(20)优化后的材料与厚度依次为，第一层：二氧化硅、λ/(4n)；第二层：二氧化钛、λ/(4n)；第三层：二氧化硅、λ/(4n)；第四层：二氧化钛、λ/(4n)；第五层：二氧化硅、5λ/(4n)；第六层：二氧化钛、3λ/(4n)；第七层：二氧化硅、2.41λ/(4n)；第八层：二氧化钛、1.2λ/(4n)；第九层：二氧化硅：2.43λ/(4n)；第十层：二氧化钛、0.5λ/(4n)，其中λ为入射波长，n为正整数。