[发明专利]有机发光显示装置无效

专利信息
申请号: 201010210554.6 申请日: 2010-06-22
公开(公告)号: CN102005166A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 金光民;郭源奎 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: G09G3/00 分类号: G09G3/00;G09G3/32
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩明星;薛义丹
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示装置
【说明书】:

本申请要求于2009年9月2号在韩国知识产权局提交的第10-2009-0082448号韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明的实施例涉及一种有机发光显示装置,更具体地讲,涉及一种具有发光测试电路的有机发光显示装置。

背景技术

近来,已经开发了与阴极射线管相比重量更轻且体积更小的多种平板显示器。平板显示器可分类为液晶显示(LCD)装置、场发射显示(FED)装置、等离子体显示面板(PDP)和有机发光显示(OLED)装置等。

有机发光显示(OLED)装置是利用通过电子和空穴的复合而发光的有机发光二极管来显示图像的平板显示器,有机发光显示装置具有相对快的响应速度和低的功耗,因此,有机发光显示装置作为下一代显示器已成为公众注意的中心。

这种有机发光显示装置包括:像素单元,包括多个像素;扫描驱动电路,提供扫描信号给像素单元;数据驱动电路,提供数据信号给像素单元。

这里,可通过利用低温多晶硅(LTPS)工艺在平板上将像素单元和扫描驱动电路一起形成。在LTPS等工艺完成之后,可以以驱动IC芯片的形式在面板上安装数据驱动电路。

然而,在安装具有内置数据驱动电路的驱动集成电路(IC)之前,应执行用于确认像素能否正常地(适当地)发光的发光测试。为执行这样的发光测试,可在面板上形成独立的发光测试电路。

发光测试电路包括多个开关器件,所述多个开关器件根据从外部提供的测试控制信号将发光测试信号提供给数据线。这里,开关器件可由在用于形成设置在像素电路和扫描驱动电路等中的晶体管的LTPS工艺过程中形成的晶体管构成。为提高制造效率,开关器件的晶体管具有与像素电路和扫描驱动电路等的晶体管的结构相同(或基本相同)的结构。

然而,设置在发光测试电路中的晶体管可能暴露于从外部流动的静电(ESD),从而设置在发光测试电路中的晶体管可能在LTPS工艺期间或者甚至在LTPS工艺完成之后的模块状态中由于静电而损坏。

如果发光测试电路中的晶体管被静电损坏,则会导致有机发光显示装置的驱动错误和/或不能有效地执行发光测试。

因此,在安装驱动IC之前用发光测试电路执行发光测试的有机发光显示装置中,在LTPS工艺或者甚至在完成LTPS工艺之后的模块状态,应保护发光测试电路,防止其被静电损坏。

为此,需要以能够保护自身免于静电的结构来设计发光测试电路的晶体管。

发明内容

本发明实施例的一方面提供一种具有发光测试电路的有机发光显示装置,所述发光测试电路以能够保护自身免受静电损坏的结构设计。

本发明的实施例提供一种有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括:像素单元,包括在扫描线和数据线的交叉区域的像素;扫描驱动电路,构造为将扫描信号提供给扫描线;发光测试电路,构造为将发光测试信号提供给数据线,发光测试电路包括多个晶体管,所述多个晶体管包括源极、漏极和栅极,源极公共结合到输入线,发光测试信号输入到输入线,漏极结合到数据线,栅极公共结合到测试控制信号的输入线,栅极和源极通过由半导体材料组成的电阻器结合。

电阻器可利用高阻值的多晶硅半导体实现。

电阻器可设计为具有大约100kΩ至大约1MΩ或100kΩ至1MΩ的阻值。

此外,电阻器与晶体管的沟道层可一体地设置。这里,电阻器可利用包括杂质的多晶硅半导体来实现,所述杂质不包括在晶体管的沟道层中,或者电阻器可利用包括杂质的多晶硅半导体来实现,所述杂质与包括在晶体管的沟道层中的杂质相同,但是电阻器中掺杂的杂质的浓度与掺杂在晶体管的沟道层中的杂质的浓度不同。

此外,所述有机发光显示装置还可包括:数据分布电路,结合在发光测试电路和要分布的数据线之间,并在发光测试时间段期间,将从发光测试电路提供的发光测试信号输出至数据线。

此外,所述有机发光显示装置还包括:驱动集成电路(IC),以芯片形式安装并与发光测试电路叠置,驱动集成电路具有内置的数据驱动电路。

如上所述的实施例,设置在发光测试电路中的晶体管的栅极和源极通过电阻器连接,使得能够保护这些组件不被静电损坏。

附图说明

附图和说明书一起阐述了本发明的示例性实施例,并和说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明实施例的有机发光显示装置的透视平面图;

图2是示出图1中的发光测试电路的构造的透视电路图;

图3是图2中的区域A的布置的透视示意平面图;

图4是仅示出图3中的半导体层的透视平面图;

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