[发明专利]双极型晶体管型自激式Buck变换器有效

专利信息
申请号: 201010210969.3 申请日: 2010-06-28
公开(公告)号: CN101877532A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 陈怡 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: H02M3/142 分类号: H02M3/142
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 王兵;王利强
地址: 310014 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 双极型 晶体管 buck 变换器
【说明书】:

技术领域

本发明涉及自激式直流-直流变换器,应用于小功率开关稳压/稳流电源、高亮度LED驱动电路等,尤其是一种自激式Buck变换器。

背景技术

与小功率线性电源和小功率他激式DC-DC变换器相比,小功率自激式DC-DC变换器具有电路结构简单、元器件数目少、成本低、自启动和自保护性能好、适用工作电压范围宽、效率高等优点。

中国专利ZL99108088.2公开了一种自激式降压DC-DC变换器,如图1所示。由PNP晶体管Q1、耦合电感L1、二极管D1和电容C2组成Buck变换器的主回路,Vi、Vo分别为直流输入、输出电压,R7为负载。耦合电感L2通过电容C1和电阻R3分别与Q1的发射极和基极相连,PNP晶体管Q2的发射极和集电极也分别与Q1的发射极和基极相连。Q1的基极由电阻R4接到Vi的负端。R1和R2相串联并接于Q1的发射极和NPN晶体管Q3的集电极两端,R1和R2的接点与Q2的基极相连。R5和R6的串联支路并接于Vo两端,R5和R6的接点与Q3的基极相连。Q3的发射极接于Vi的负端。该自激式降压DC-DC变换器的工作原理如下:当电路刚上电时,Q1饱和导通,D1、Q2均截止,Vi、Q1、L1、C2、R7、R5、R6形成回路,L1和C2都处于充电储能状态。在充电过程中,L1的电流增加,电路的输出电压增加,相应地Q1的射集极电压也随之增加,Q1的工作点逐渐退出饱和区,同时L1两端的电压下降。通过耦合L2两端的电压也随之减小,同时加大了对Q1基极电流的分流量,造成Q1的基极电流和集电极电流减小,进一步增加Q1的射集极电压,电路进入一种强烈的正反馈。这种正反馈工作的结果是Q1的集电极电流迅速减小,当小于L1的电流时D1就开始导通为L1续流,随后Q1截止。此时,L1、C2、R7、R5、R6和D1形成回路,L1进入放电释能状态。待L1放电结束,D1截止,Q1又重新饱和导通,进入下一个自激周期。经历若干个周期后,当输出电压达到设定值Vo,电压反馈支路R5、R6、Q3、R1、R2和Q2开始工作。当输出电压高于设定值时,Q3导通,导致Q2导通并分流一部分Q1的基极电流,达到缩短Q1导通时间、延长Q1关断时间的目的;当输出电压低于设定值时,Q3截止,导致Q2截止,Q1的开关时间又恢复原样。由此,电路实现输出稳压。该电路的不足之处在于:必需耦合电感L2参与电路的自激工作,耦合电感L1和L2制作较复杂,电路元器件数目较多,对减小产品的成本和体积不利。

发明内容

为了克服现有的自激式DC-DC变换器的电路结构复杂、元器件数目较多的不足,本发明提供一种电路结构简单、元器件数目少的双极型晶体管型自激式Buck变换器。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种双极型晶体管型自激式Buck变换器,包括由PNP晶体管Q1、电感L1、二极管D1和电容C2组成Buck变换器的主回路,负载R6两端的电压为直流输出电压Vo,直流输入电压Vi的负端与直流输出电压Vo的负端相连,所述负载R6与电容C2并联,所述直流输出电压Vo的正端和电容C2的接点与电感L1的一端相连,所述电感L1的另一端与二极管D1的阴极连接,所述二极管D1的阳极与直流输入电压Vi的负端相连,所述直流输出电压Vo的负端和电容C2的接点与直流输入电压Vi的负端相连;所述自激式Buck变换器还包括PNP晶体管Q2,PNP晶体管Q1的发射极与直流输入电压Vi的正端相连,电感L1和二极管D1的接点与PNP晶体管Q1的集电极相连,PNP晶体管Q2的发射极和集电极分别与PNP晶体管Q1的发射极和基极相连,PNP晶体管Q1的基极还通过电阻R1接于直流输入电压Vi的负端,电阻R2和电阻R3的串联支路并接于Q1的发射极和集电极两端,电阻R2和电阻R3的接点与PNP晶体管Q2的基极相连。

作为优选的一种方案:所述自激式Buck变换器还包括电压反馈支路,稳压管Z1和电阻R5的串联支路并接于直流输出电压Vo两端,稳压管Z1和电阻R5的接点和NPN晶体管Q3的基极相连;NPN晶体管Q3的集电极通过电阻R4和PNP晶体管Q2的基极相连,NPN晶体管Q3的发射极接于直流输入电压Vi的负端。

作为优选的另一种方案:所述自激式Buck变换器还包括电流反馈支路:检测电阻R5和电容C3的并联支路一端与电阻R6和NPN晶体管Q3的基极相连,另一端则与直流输入电压Vi的负端相连;NPN晶体管Q3的集电极通过电阻R4和PNP晶体管Q2的基极相连,NPN晶体管Q3的发射极接于直流输入电压Vi的负端。

进一步,所述电阻R3两端并联电容C1。

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