[发明专利]双极型晶体管型自激式Zeta变换器有效

专利信息
申请号: 201010210984.8 申请日: 2010-06-28
公开(公告)号: CN101877533A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 陈怡 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 王兵;王利强
地址: 310014 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 双极型 晶体管 zeta 变换器
【权利要求书】:

1.一种双极型晶体管型自激式Zeta变换器,包括PNP晶体管Q1、电感L1、电容C2、二极管D1、电感L2和电容C3组成Zeta变换器的主回路,负载R6两端的电压为直流输出电压Vo,直流输入电压Vi的负端与直流输出电压Vo的负端相连,所述负载R6与电容C3并联,所述直流输出电压Vo的正端和电容C3的接点与电感L2的一端相连,所述电感L2的另一端分别与电容C2的一端、二极管D1的阴极相连,所述二极管D1的阳极与直流输入电压Vi的负端相连,所述电容C2的另一端与电感L1的一端相连,所述电感L1的另一端与所述直流输入电压Vi的负端相连,所述直流输出电压Vo的负端和电容C3的接点与直流输入电压Vi的负端相连,其特征在于:所述自激式Zeta变换器还包括PNP晶体管Q2,PNP晶体管Q1的发射极与直流输入电压Vi的正端相连,电感L1和电容C2的接点与PNP晶体管Q1的集电极相连,PNP晶体管Q2的发射极与PNP晶体管Q1的发射极相连,PNP晶体管Q2的集电极与PNP晶体管Q1的基极相连,PNP晶体管Q1的基极还通过电阻R1接于直流输入电压Vi的负端,电阻R2和电阻R3的串联支路并接于Q1的发射极和集电极两端,电阻R2和电阻R3的接点与PNP晶体管Q2的基极相连。

2.如权利要求1所述的双极型晶体管型自激式Zeta变换器,其特征在于:所述自激式Zeta变换器还包括电压反馈支路,稳压管Z1和电阻R5的串联支路并接于直流输出电压Vo两端,稳压管Z1和电阻R5的接点和NPN晶体管Q3的基极相连;NPN晶体管Q3的集电极通过电阻R4和PNP晶体管Q2的基极相连,NPN晶体管Q3的发射极接于直流输入电压Vi的负端。

3.如权利要求1所述的双极型晶体管型自激式Zeta变换器,其特征 在于:所述自激式Zeta变换器还包括电流反馈支路,检测电阻R5和电容C4的并联支路一端与电阻R6和NPN晶体管Q3的基极相连,另一端则与直流输入电压Vi的负端相连;NPN晶体管Q3的集电极通过电阻R4和PNP晶体管Q2的基极相连,NPN晶体管Q3的发射极接于直流输入电压Vi的负端。

4.如权利要求1~3之一所述的双极型晶体管型自激式Zeta变换器,其特征在于:所述电阻R3两端并联电容C1。

5.如权利要求1~3之一所述的双极型晶体管型自激式Zeta变换器,其特征在于:所述自激式Zeta变换器还包括二极管D2,PNP晶体管Q1的集电极和电容C2的接点与二极管D2的阳极连接,电感L1与电阻R3的接点与二极管D2的阴极连接。

6.如权利要求4所述的双极型晶体管型自激式Zeta变换器,其特征在于:所述自激式Zeta变换器还包括二极管D2,PNP晶体管Q1的集电极和电容C2的接点与二极管D2的阳极连接,电感L1与电阻R3的接点与二极管D2的阴极连接。

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