[发明专利]半导体器件组件以及散热器组件有效
| 申请号： | 201010211425.9 | 申请日： | 2010-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101930953A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | V·R·贾达夫;K·K·斯卡;郑见涛 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 于静;杨晓光 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 组件 以及 散热器 | ||
1.一种散热器组件，包括：
用于芯片载体衬底的散热器，所述散热器具有第一热膨胀系数CTE1；
与所述散热器接触的多层热界面材料，所述热界面材料包括与所述散热器接触的第一金属热界面材料层和与所述第一金属热界面材料层接触的缓冲层，所述缓冲层具有第二热膨胀系数CTE2，其中CTE1＞CTE2。
2.根据权利要求1的散热器组件，其中所述热界面材料还包括与所述缓冲层接触的第二金属热界面材料层。
3.根据权利要求2的散热器组件，其中所述第一和第二金属热界面材料层选自铟(其本身为元素铟)和低熔点焊料合金。
4.根据权利要求1的散热器组件，其中所述热界面材料还包括与所述缓冲层接触的非金属热界面材料层。
5.根据权利要求4的散热器组件，其中所述非金属热界面材料选自非金属热凝胶、糊膏和油脂。
6.根据权利要求1的散热器组件，其中所述缓冲层被穿孔。
7.根据权利要求1的散热器组件，其中所述缓冲层选自钨/铜、钼/铜、铜/钼/铜以及铝/硅碳化物。
8.根据权利要求1的散热器组件，其中所述第一金属热界面材料层包括支座。
9.一种半导体器件组件，包括：
芯片载体衬底；
附接到所述衬底的散热器，所述散热器具有第一热膨胀系数CTE1；
半导体器件，其被安装在所述衬底上并在所述散热器下方，所述半导体器件具有第三热膨胀系数CTE3；
多层热界面材料，其被插入在所述散热器与所述半导体器件之间，所述热界面材料包括与所述散热器接触的第一金属热界面材料层和与所述第一金属热界面材料层接触的缓冲层，所述缓冲层具有第二热膨胀系数CTE2，其中CTE1＞CTE2＞CTE3。
10.根据权利要求9的半导体器件组件，其中所述热界面材料还包括与所述缓冲层和所述半导体器件接触的第二金属热界面材料层。
11.根据权利要求10的半导体器件组件，其中所述第一和第二金属热界面材料层选自铟(其本身为元素铟)和低熔点焊料合金。
12.根据权利要求9的半导体器件组件，其中所述热界面材料还包括与所述缓冲层和所述半导体器件接触的非金属热界面材料层。
13.根据权利要求12的半导体器件组件，其中所述非金属热界面材料选自非金属热凝胶、糊膏和油脂。
14.根据权利要求9的半导体器件组件，其中所述缓冲层被穿孔。
15.根据权利要求9的半导体器件组件，其中所述缓冲层具有高热导率、可制造、以薄片形式可得、且成本低。
16.根据权利要求9的半导体器件组件，其中所述缓冲层选自钨/铜、钼/铜、铜/钼/铜以及铝/硅碳化物。
17.根据权利要求9的半导体器件组件，其中所述第一金属热界面材料层包括支座。
18.一种半导体器件组件，包括：
芯片载体衬底；
半导体器件，其被安装在所述衬底上，所述半导体器件具有第一热膨胀系数CTE1；
多层热界面材料，其位于所述半导体器件上，所述热界面材料包括第一金属热界面材料层和与所述第一金属热界面材料层接触的缓冲层，所述缓冲层具有第二热膨胀系数CTE2，其中CTE1＞CTE2，并且热界面材料层接触所述缓冲层和所述半导体器件。
19.根据权利要求18的半导体器件组件，其中所述缓冲层被穿孔。
20.根据权利要求18的半导体器件组件，其中所述缓冲层选自钨/铜、钼/铜、铜/钼/铜以及铝/硅碳化物。
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