[发明专利]一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe2薄膜的方法

权利要求书

1.一种制备CuInSe₂薄膜的方法，包括如下步骤：

1)将铜盐和铟盐溶于有机溶剂中后，加入硝酸水溶液混匀，再加入乙醇胺进行反应，至反应体系的pH值为6时反应完毕，密封保温后得到前驱体溶胶；

2)将所述前驱体溶胶成膜，干燥后在氢气气氛中进行还原，所述还原反应完毕冷却至室温后再与硒粉进行硒化反应，所述硒化反应完毕冷却至室温后得到所述CuInSe₂薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述铜盐选自硝酸铜和氯化铜中的任意一种，所述铟盐选自硝酸铟和氯化铟中的任意一种，所述有机溶剂选自乙醇和甲醇中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述步骤1)中，所述铜盐中的铜元素和所述铟盐中的铟元素的摩尔比为1∶1，所述铜盐和所述铟盐在所述有机溶剂中的浓度均为0.25-1mol/L，优选0.5mol/L，所述硝酸水溶液的浓度为1摩尔/升，所述硝酸水溶液与所述有机溶剂的体积比为1∶4；所述乙醇胺选自三乙醇胺和二乙醇胺中的至少一种，优选三乙醇胺。

4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述步骤1)混匀步骤中，温度为20-60℃，所述反应步骤中，温度为20-60℃；所述密封保温步骤中，温度为60-80℃，优选60℃，时间为8-12小时，优选10小时。

5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：所述步骤2)成膜步骤中，成膜方法为旋涂法。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述旋涂法中，匀胶机的转速为2000-3000转/分，优选2500转/分，旋转半径为0.5-2cm，优选1cm，时间为30-60秒，优选50秒，成膜基底为钠钙玻璃。

7.根据权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于：所述步骤2)干燥步骤中，温度为60-80℃，优选80℃，时间为2-4小时，优选2小时。

8.根据权利要求1-7任一所述的方法，其特征在于：所述步骤2)还原步骤中，温度为400-500℃，优选500℃，由室温升至500℃的升温速率为5-10℃/分，优选10℃/分，所述还原时间为30-60分钟，优选30分钟。

9.根据权利要求1-8任一所述的方法，其特征在于：所述步骤2)硒化反应中，真空度为5-10帕，优选5帕，温度为450-550℃，优选550℃，时间为30-60分钟，优选30分钟，所述由室温升至所述硒化反应温度的速率为10-70℃/分，优选60℃/分。