[发明专利]用Mg3N2和CaH2合成立方氮化硼的方法无效
申请号: | 201010211951.5 | 申请日: | 2010-06-29 |
公开(公告)号: | CN101869817A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 郭伟力;贾晓鹏;马红安;陈立学 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | B01J3/06 | 分类号: | B01J3/06;C01B21/064 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉林省长*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mg sub cah 合成 立方 氮化 方法 | ||
技术领域
本发明属于超硬材料合成的技术领域,具体的涉及高温高压下由六方氮化硼合成立方氮化硼的方法
背景技术
立方氮化硼是一种不存在于自然界而只能由人工合成的超硬材料。由于立方氮化硼具有比金刚石高的抗氧化温度,比金刚石更高的化学稳定性,在高温下不与铁族元素发生反应等优异特性,作为磨料及制成刀具、砂轮和珩磨条等制品,在黑色金属及其它合金材料的加工领域有广泛的应用。
在高温高压下合成是制取立方氮化硼的常用方法,现有的合成方法通常是以Li、Mg、Ca等碱金属和碱土金属或其氮化物、氮硼化物为触媒合成立方氮化硼。以碱金属和碱土金属为触媒合成立方氮化硼,存在着转化率低,晶形差,抗压强度较低等缺点。日本专利JP56-140013公开的用六方氮化硼为原料,氮化锂、氮化钙作触媒,在高温高压下合成立方氮化硼的方法得到了高强度,低杂质含量的立方氮化硼单晶粉末。但该方法所用的触媒对六方氮化硼的纯度和杂质含量等要求较高,要六方氮化硼纯度>99.8%、氧化硼含量<0.1%及石墨化指数<2时才可得到好的合成结果,如六方氮化硼纯度小于98%、氧化硼含量大于0.15%和石墨化指数大于3时所得到的立方氮化硼粒度就小于300目,转化率也很低。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,使用Mg3N2作触媒,以CaH2作添加剂,以低纯度的六方氮化硼为原料,在温度压力区域较宽的条件下,合成出立方氮化硼(cBN)晶体,从而降低合成cBN的生产成本。
本发明的具体技术方案是:
一种合成立方氮化硼的方法,以Mg3N2为触媒,CaH2为添加剂,六方氮化硼为原料;六方氮化硼、Mg3N2、CaH2按重量比为1∶0.09~0.15∶0.09~0.15;合成过程是,将六方氮化硼、Mg3N2和CaH2混合均匀,预压成型组装成合成块,在高温高压下合成立方氮化硼,合成温度1000~1600℃、合成压力4.0~6.0GPa条件下,保温保压时间3~8分钟;合成产物经化学处理得到黄色且晶形完整率高、半透明的立方氮化硼晶体。
六方氮化硼的纯度≥90%,就可以合成出高品质的立方氮化硼晶体。纯度高可以合成出更好的立方氮化硼晶体。
用Mg3N2+hBN混合作原料在高温高压下合成cBN时,合成的温度压力范围区间较窄,由于组装块内温度梯度的存在使得合成样品的部分区域超出了cBN的稳定区,故这一部分不能成核生长出cBN晶体。当加入CaH2时,cBN的成核率提高,同时cBN生长的温度压力区域变宽,样品区内cBN的生长区增大,从而提高了hBN向cBN转化的转化率。
本发明提供的方法使用的触媒对六方氮化硼原料的纯度要求低,合成的立方氮化硼晶体在显微镜下观察晶形完整,绝大多数的晶体粒度在60~200#,并且具有合成压力和温度范围宽、转化率高、成本低的特点,有利于工业生产。
具体实施方式
以下实施例使用的高温高压设备是六面顶压机,但本发明并不局限于该设备。
实施例1
原料按重量比选择Mg3N2∶CaH2∶六方氮化硼=7.5∶7.5∶85。将Mg3N2和CaH2混合均匀,再与纯度90%的六方氮化硼混合均匀并预压成圆柱状后装入石墨套管内,保持原料柱的高度与石墨管的高度相等或比石墨管的高度低0.5~1mm,放入叶腊石块内组装成合成块。在设定温度为100℃的烘箱内预热20分钟后,在六面顶压机上进行高压合成。在温度1050℃、压力4.5GPa条件下,保温保压5分钟,停止加热待温度降低后取出样品。经酸碱提纯处理后得到黄色半透明的立方氮化硼晶体。得到的cBN晶体,晶形完整率较高,cBN的转化率为40%。
实施例2
原料配比、组装方式、合成设备和温度、压力条件均同实施例1,保温保压时间为3分钟,样品经提纯处理后获得的cBN晶体同实施例1,晶体粒度较实施例1略细,cBN转化率30~35%。
实施例3
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