[发明专利]碳纳米管结构的制备方法有效
| 申请号： | 201010212563.9 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101898759A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 刘锴;姜开利;孙颖慧;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
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| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 结构 制备 方法 | ||
1.一种碳纳米管结构的制备方法，其包括：
提供一碳纳米管预制结构，所述碳纳米管预制结构包括多个碳纳米管通过范德华力相连；
将所述碳纳米管预制结构在低氧环境中进行热处理，使至少部分相连之碳纳米管之间形成碳碳键。
2.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述低氧环境中的氧气分压小于1*10-2帕。
3.如权利要求2所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述低氧环境中的氧气分压小于1*10-5帕。
4.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述低氧环境充满惰性气体。
5.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述低氧环境中的大气压小于5*10-2帕。
6.如权利要求5所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述低氧环境中的大气压小于5*10-5帕。
7.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述热处理在一真空加热炉中进行。
8.如权利要求7所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度大于1500摄氏度。
9.如权利要求8所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度大于2000摄氏度。
10.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述热处理具体包括以下步骤：用激光照射所述碳纳米管结构。
11.如权利要求10所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述激光的照射功率在10兆瓦到30兆瓦之间，扫描频率在5毫米每秒到300毫米每秒之间。
12.如权利要求1所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，在所述碳纳米管预制结构中，通过范德华力彼此相连的碳纳米管之间的距离在0.2纳米到9纳米之间。
13.如权利要求12所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，彼此相连的碳纳米管之间的距离在0.2纳米到1纳米之间。
14.一种碳纳米管结构的制备方法，其包括：
提供一基底及一形成在该基底上的碳纳米管阵列；
在气压小于5*10-2帕的真空环境中从所述碳纳米管阵列拉取一碳纳米管预制结构；以及
在该真空环境中对所述碳纳米管预制结构进行热处理，使至少部分相邻之碳纳米管之间形成碳碳键。
15.如权利要求14所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述真空环境中的的气压小于5*10-5帕。
16.如权利要求14所述的碳纳米管结构的制备方法，其特征在于，所述从碳纳米管阵列拉取一碳纳米管预制结构的步骤进一步包括：
提供一粘性基条，使该粘性基条接触所述碳纳米管阵列；以及
沿远离所述碳纳米管阵列的方向移动所述粘性基条，使碳纳米管首尾相连地从碳纳米管阵列中连续地被拉出，从而获得所述碳纳米管预制结构。
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