[发明专利]有机发光器件及其复合阳极有效

专利信息
申请号: 201010212595.9 申请日: 2010-06-29
公开(公告)号: CN101894922B 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 刘萍 申请(专利权)人: 深圳丹邦投资集团有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 518057 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 器件 及其 复合 阳极
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种有机发光器件及其制作方法,尤其涉及该有机发光器件的复合阳极及其 制作方法。

背景技术

有机发光器件(OLED)由于具有发光亮度高、驱动电压低、响应速度快、无视角限制、 能效高、超轻超薄等优点,在平板显示器、平面光源等领域具有巨大的应用前景。

通常OLED器件由两电极之间夹单层或多层有机薄膜构成,典型的工作电压是2-10V。 电子从阴极注入到有机层的导带,阴极一般使用不透明的低功函数金属,如Mg、Ca、Li等。 由于这些金属非常活泼,因而常用合金来代替,如Mg-Ag合金或Al-Li合金等,也可采用稳 定金属如Al加上缓冲层如LiF来完成电子注入。空穴从阳极注入到有机层的价带,阳极通常 是透明的,采用高功函数的Au或ITO(Indium tin oxide或tin-doped indium oxid),光从阳极 侧出射。

如图1所示,典型有机发光器件包括依次排列的:玻璃基板1、ITO阳极2、有机空穴传输 层3、电子传输和发光层4,阴极层5。

而AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,主动矩阵有机发光二极体面板) 及新型OLED器件如透明OLED的进展需要顶发光OLED,顶发光OLED需要透明阴极和反 射阳极,典型顶发光OLED结构如图2所示,由基板6、反射阳极7,有机空穴传输层8、电 子传输和发光层9以及透明阴极层10组成。

为此,人们对透明阴极进行了广泛的研究,如H.Riel等(J.Appl.Phys.2003,94:5290)报道了 一类透明阴极结构。相比较而言,对顶发光OLED阳极研究相对缺乏。

OLED的阳极通常都是由高功函数的材料所组成。而顶发光OLED的阳极还必须具有反 射性,Au、Ni、Pt的功函数较高,但反射率只有50%左右;Ag、Al在可见光区的反射率高 达90%以上,但功函数稍低,并不十分适合作为阳极。因此通常需要搭配适当功函数的材料, 如Al/ITO、Ag/ITO等。

目前的这种顶发光OLED阳极有如下问题:

(1)对于大尺寸平板显示、高亮度光源来说,OLED产生的热量必须通过电极迅速导 走,否则将导致OLED不稳定,寿命缩短。但是ITO的导热性能比金属差,不利于 热的传导。

(2)

(3)同样地,对于大尺寸平板显示、高亮度光源来说,OLED电极的导电性能必须要 好,否则,导电性差的电极产生的热也多,将导致OLED不稳定,寿命缩短。ITO 的导电性能比金属差,欧姆热将大大降低OLED寿命。

(4)空穴注入能力有待进一步提高。

发明内容

有鉴于此,本发明所要解决的技术问题是提供一种OLED的复合阳极结构及其制作方法, 提高现有OLED器件阳极的导电能力;提高OLED阳极的空穴注入能力;提高OLED器件阳 极的导热能力;在具有良好的性能的前提下,加工简便,成本低廉。

为此,本发明提出一种有机发光器件复合阳极,依次包含底层粘结层、阳极横向导电层 和空穴注入层,其特征在于:其中阳极横向导电层至少包含一层铜层。

优选地:所述铜层是是单层铜或铜合金;所述空穴注入层由铜层或铜合金层经过等离子 体处理形成。

优选地:所述粘结层为金属层,所述阳极横向导电层和粘结层中的金属层组成双层或多 层金属电极,其中铜层是对导电起决定作用的导电层。

优选地:所述等离子体处理为在氮氧混合气体气氛下的等离子体处理,或在硫化氢气氛 下的等离子体处理,或在氧气气氛下的等离子体处理,或在氮、硫化氢混合气体气氛下的等 离子体处理中的一种。

本发明还提出一种有机发光器件复合阳极的制作方法,依次包括以下步骤:A、在基板 上附着粘结层;B、在粘结层上附着横向导电层;C、在横向导电层上形成空穴注入层,其特 征在于:所述横向导电层包括至少一层铜层或铜合金层;其中,步骤C所采用的方法是对所 述铜层或铜合金层进行等离子表面处理从而形成空穴注入层。

优选地:所述等离子表面处理的方法为射频等离子体处理:将射频等离子体发生器的真 空室预抽真空度,然后充入气体进行等离子体处理;其中,射频等离子发生器的工作气压为 10~70Pa、用辉光射频等离子体、射频功率为10~100W、处理时间为5~20min、基底温度低于 150℃。

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