[发明专利]有机发光器件及其复合阳极有效
申请号: | 201010212595.9 | 申请日: | 2010-06-29 |
公开(公告)号: | CN101894922B | 公开(公告)日: | 2014-07-02 |
发明(设计)人: | 刘萍 | 申请(专利权)人: | 深圳丹邦投资集团有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 518057 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 器件 及其 复合 阳极 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光器件及其制作方法,尤其涉及该有机发光器件的复合阳极及其 制作方法。
背景技术
有机发光器件(OLED)由于具有发光亮度高、驱动电压低、响应速度快、无视角限制、 能效高、超轻超薄等优点,在平板显示器、平面光源等领域具有巨大的应用前景。
通常OLED器件由两电极之间夹单层或多层有机薄膜构成,典型的工作电压是2-10V。 电子从阴极注入到有机层的导带,阴极一般使用不透明的低功函数金属,如Mg、Ca、Li等。 由于这些金属非常活泼,因而常用合金来代替,如Mg-Ag合金或Al-Li合金等,也可采用稳 定金属如Al加上缓冲层如LiF来完成电子注入。空穴从阳极注入到有机层的价带,阳极通常 是透明的,采用高功函数的Au或ITO(Indium tin oxide或tin-doped indium oxid),光从阳极 侧出射。
如图1所示,典型有机发光器件包括依次排列的:玻璃基板1、ITO阳极2、有机空穴传输 层3、电子传输和发光层4,阴极层5。
而AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,主动矩阵有机发光二极体面板) 及新型OLED器件如透明OLED的进展需要顶发光OLED,顶发光OLED需要透明阴极和反 射阳极,典型顶发光OLED结构如图2所示,由基板6、反射阳极7,有机空穴传输层8、电 子传输和发光层9以及透明阴极层10组成。
为此,人们对透明阴极进行了广泛的研究,如H.Riel等(J.Appl.Phys.2003,94:5290)报道了 一类透明阴极结构。相比较而言,对顶发光OLED阳极研究相对缺乏。
OLED的阳极通常都是由高功函数的材料所组成。而顶发光OLED的阳极还必须具有反 射性,Au、Ni、Pt的功函数较高,但反射率只有50%左右;Ag、Al在可见光区的反射率高 达90%以上,但功函数稍低,并不十分适合作为阳极。因此通常需要搭配适当功函数的材料, 如Al/ITO、Ag/ITO等。
目前的这种顶发光OLED阳极有如下问题:
(1)对于大尺寸平板显示、高亮度光源来说,OLED产生的热量必须通过电极迅速导 走,否则将导致OLED不稳定,寿命缩短。但是ITO的导热性能比金属差,不利于 热的传导。
(2)
(3)同样地,对于大尺寸平板显示、高亮度光源来说,OLED电极的导电性能必须要 好,否则,导电性差的电极产生的热也多,将导致OLED不稳定,寿命缩短。ITO 的导电性能比金属差,欧姆热将大大降低OLED寿命。
(4)空穴注入能力有待进一步提高。
发明内容
有鉴于此,本发明所要解决的技术问题是提供一种OLED的复合阳极结构及其制作方法, 提高现有OLED器件阳极的导电能力;提高OLED阳极的空穴注入能力;提高OLED器件阳 极的导热能力;在具有良好的性能的前提下,加工简便,成本低廉。
为此,本发明提出一种有机发光器件复合阳极,依次包含底层粘结层、阳极横向导电层 和空穴注入层,其特征在于:其中阳极横向导电层至少包含一层铜层。
优选地:所述铜层是是单层铜或铜合金;所述空穴注入层由铜层或铜合金层经过等离子 体处理形成。
优选地:所述粘结层为金属层,所述阳极横向导电层和粘结层中的金属层组成双层或多 层金属电极,其中铜层是对导电起决定作用的导电层。
优选地:所述等离子体处理为在氮氧混合气体气氛下的等离子体处理,或在硫化氢气氛 下的等离子体处理,或在氧气气氛下的等离子体处理,或在氮、硫化氢混合气体气氛下的等 离子体处理中的一种。
本发明还提出一种有机发光器件复合阳极的制作方法,依次包括以下步骤:A、在基板 上附着粘结层;B、在粘结层上附着横向导电层;C、在横向导电层上形成空穴注入层,其特 征在于:所述横向导电层包括至少一层铜层或铜合金层;其中,步骤C所采用的方法是对所 述铜层或铜合金层进行等离子表面处理从而形成空穴注入层。
优选地:所述等离子表面处理的方法为射频等离子体处理:将射频等离子体发生器的真 空室预抽真空度,然后充入气体进行等离子体处理;其中,射频等离子发生器的工作气压为 10~70Pa、用辉光射频等离子体、射频功率为10~100W、处理时间为5~20min、基底温度低于 150℃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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