[发明专利]一种Cu2O/TiO2纳米管阵列及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201010212628.X 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN101851772B 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 罗胜联;杨丽霞;李玥;刘承斌 申请(专利权)人: 湖南大学
主分类号: C25D11/26 分类号: C25D11/26;C25D5/18;C25D3/38;C25D11/34
代理公司: 长沙市融智专利事务所 43114 代理人: 颜勇
地址: 410082 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 cu sub tio 纳米 阵列 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于环境科学领域,具体涉及一种新颖、高效环境功能纳米材料— Cu2O/TiO2纳米管阵列及其制备方法。

背景技术

阳极氧化法制备二氧化钛纳米管阵列,具有比表面积大,孔径可调等优良特 性,其特殊的纳米管状结构,已成为各国科学领域的研究热点。阳极氧化法制备 二氧化钛纳米管阵列的电解液通常无机水溶液体系,由于各种离子在水溶液中迁 移速度相对较快,电化学阳极氧化的速度也快速,可在比较短的时间内形成纳米 管阵列。但施加的阳极氧化电压一般只能在10~25V的范围内,超出此电压范围 就不能形成纳米管状结构,这同时在一定程度上限制了纳米管的管径,而且在水 溶液体系中制备的纳米管管壁较薄,容易破损。申请号为200410021589.X的发 明公开了一种高长径比二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其电解液的溶质为氟化 物和支持电解质,溶剂为水,并加入醇类添加剂,在3~50V电压条件下电解, 这种纳米管管子仍较短,只有250纳米长,比表面积不够大,且只能吸收紫外光 区的光,不能充分利用自然界太阳光。申请号为200910229191.8的发明,采用 交流电沉积的方法制备一维Cu2O/TiO2核壳结构阵列薄膜,该方法有效控制了Cu2O 颗粒在TiO2纳米管中的位置。而本发明是应用脉冲电沉积技术将单质铜沉积到 TiO2纳米管阵列上,再结合电氧化技术,在碱性溶液中将单质铜氧化为Cu2O纳米 丝以构建Cu2O/TiO2异质结纳米管阵列,首次获得了直径小于5nm的超细Cu2O 纳米丝网修饰的TiO2纳米管阵列,这些纳米丝相互缠绕连接形成网络结构附着在 TiO2纳米管阵列上,但完全没有堵塞TiO2纳米管。而且显著增大了光催化剂的比 表面积和吸附能力,拓宽了其在可见光区的吸收范围。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新颖、高效的可进一步增强二氧化钛纳米管阵列 的吸附能力和电子传导能力,拓宽其在可见光区的吸收范围,提高其光电转换效 率的Cu2O/TiO2纳米管阵列环境功能纳米材料及其制备方法。

本发明的的目的是通过以下方式实现的。

一种Cu2O/TiO2纳米管阵列的制备方法,包括以下步骤:

(1)在25~100V直流电压下,以纯钛或钛合金为阳极,铂片为阴极,在电解 液中电解制备二氧化钛纳米管;在400℃-500℃有氧条件下将制备的二氧化钛纳 米管阵列煅烧4-6h,使其晶化成TiO2纳米管阵列;

(2)将2cm×5cm的TiO2纳米管阵列置5mmol-20mmolCuSO4溶液中,采用脉冲电 镀的方法在以铂片为对电极,Ag/AgCl为参比电极,TiO2纳米管阵列为工作电极 的标准三电极体系中电沉积单质铜;通断电压比为-1v∶-0.00001v;通断时间比 为0.2∶1,得到Cu/TiO2复合纳米管阵列;

(3)采用步骤(2)得到的Cu/TiO2复合纳米管阵列为阳极,铂片为阴极的二电 极体系,电极间距2cm,电压为0.5V,无搅拌条件下在0.5M-2M的NaOH碱性溶 液中电氧化30min,得到超细Cu2O纳米线修饰的TiO2纳米管阵列。

步骤(1)所述的电解液由质量百分含量为0.5-3%的氢氟酸的二甲基亚砜或 者质量百分含量为0.25-0.5%的NH4F的醇溶液组成。

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