[发明专利]基于级联的去嵌入方法

权利要求书

1.一种用于去嵌入的方法，所述方法包括：

在半导体芯片中形成主结构；

在所述半导体芯片中形成辅助结构，其中，所述辅助结构复制所述主结构的第一部分；

基于测量确定用于所述主结构和所述辅助结构中的每一个的传输矩阵；以及

通过确定所述主结构的传输矩阵和所述辅助结构的传输矩阵的逆矩阵的积，提取所述主结构的第一组件的传输矩阵。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辅助结构复制所述主结构的所述第一部分和第二部分，使得所述主结构是对称的。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括附加辅助结构，所述附加辅助结构复制所述主结构的第二部分，其中，所述第一部分和所述第二部分是不同的，使得所述主结构是非对称的。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过确定所述辅助结构的传输矩阵与所述第一组件的所述传输矩阵的逆矩阵的积，提取第二组件的传输矩阵。

5.一种用于去嵌入级联网络的方法，所述方法包括：

测量主结构和第一辅助结构的电特性，以确定所述主结构和所述第一辅助结构中的每一个的传输矩阵，其中，所述主结构和所述第一辅助结构形成在半导体芯片中，以及所述辅助结构复制所述主结构的第一部分；以及

通过将所述主结构的所述传输矩阵与所述辅助结构的所述传输矩阵的逆矩阵相乘，提取所述主结构的第一组件的传输矩阵。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在所述半导体芯片中形成所述主结构和所述第一辅助结构；和/或

响应于所述主结构的所述第一组件的传输矩阵，在附加半导体芯片中形成改进的主结构；

所述第一辅助结构还复制所述主结构的第二部分。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述主结构是对称的或者是非对称的。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述测量还包括：测量第二辅助结构的电特性，以确定所述第二辅助结构的传输矩阵，其中，所述第二辅助结构复制所述主结构的第二部分并形成在所述半导体芯片中。

9.根据权利要求5所述的方法，还包括：通过将所述辅助结构的所述传输矩阵与所述第一组件的所述传输矩阵的逆矩阵相乘，提取第二组件的传输矩阵。

10.一种用于去嵌入组件的方法，所述方法包括：

在半导体芯片中形成双传输线结构；

在所述半导体芯片中形成第一辅助传输线结构，其中，所述第一辅助传输线结构代表所述双传输线结构的第一部分；

测量所述双传输线结构和所述第一辅助传输线结构的电特性；

基于所述测量所述电特性，为所述双传输线结构和所述第一辅助传输线结构中的每一个确定传输矩阵；以及

将所述双传输线结构的所述传输矩阵与所述第一辅助传输线结构的所述传输矩阵的逆矩阵相乘，以提取所述双传输线结构的第一组件的传输矩阵。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：在所述半导体芯片中形成第二辅助传输线结构，其中，所述第二辅助传输线结构代表所述双传输线结构的第二部分，其中，所述第二部分不同于所述第一部分，以及其中，所述测量所述电特性还包括：测量所述第二辅助传输线结构的电特性，并且所述确定还包括：基于所述测量所述电特性来确定所述第二辅助传输线结构的传输矩阵；和/或

还包括：将所述双传输线结构的所述传输矩阵与所述第二辅助传输线结构的所述传输矩阵的逆矩阵相乘，以提取所述双传输线结构的第一组件的传输矩阵。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：将所述第一辅助传输线结构的所述传输矩阵与所述第一组件的所述传输矩阵的逆矩阵相乘，以提取所述双传输线结构的第二组件的传输矩阵。