[发明专利]金属栅极晶体管、集成电路以及其制造方法

权利要求书

1.一种形成金属栅极晶体管的后栅极方法，包括：

在一基底上方的一介电材料内形成一开口；

在该开口内与该基底上方形成一栅极介电结构；

在该开口内与该栅极介电结构上方形成一功函数金属层；以及

在该功函数金属层上方形成一硅化物结构。

2.如权利要求1所述的形成金属栅极晶体管的后栅极方法，其中形成该硅化物结构的步骤包括：

在该开口内形成一硅块；以及

以一金属材料对该硅块进行金属硅化，形成该硅化物结构。

3.如权利要求2所述的形成金属栅极晶体管的后栅极方法，其中以该金属材料对该硅块进行金属硅化的步骤包括以该金属材料对全部的该硅块进行金属硅化。

4.如权利要求2所述的形成金属栅极晶体管的后栅极方法，还包括将该硅块的一部分凹陷，使得该硅块金属硅化所形成的该硅化物结构具有一上表面，且该上表面与该介电材料的上表面齐平。

5.如权利要求4所述的形成金属栅极晶体管的后栅极方法，其中该凹陷的预定深度为该硅块高度的一半。

6.一种晶体管，包括：

一栅极介电结构，设置于一基底之上；

一功函数金属层，设置于该栅极介电结构之上，该功函数金属层用于调整该晶体管的一栅极电极的一功函数值；以及

一硅化物结构，设置于该功函数金属层之上，该硅化物结构与该栅极介电结构间隔开来，且该硅化物结构不调整该晶体管的该栅极电极的该功函数值。

7.如权利要求6所述的晶体管，其中该硅化物结构与该栅极介电结构以大于或等于的距离隔开。

8.如权利要求6所述的晶体管，还包括一介电材料围绕该硅化物结构，其中该介电材料的上表面与该硅化物结构的上表面齐平，或该硅化物结构的上表面高于该介电材料的上表面。

9.一种集成电路，包括：

一N型晶体管，包括：

一第一栅极介电结构，设置于一基底之上；

一第一n型功函数金属层，设置于该第一栅极介电结构之上，该第一n型功函数金属层用于调整该N型晶体管的一栅极电极的一功函数值；以及

一第一硅化物结构，设置于该第一n型功函数金属层之上，该第一硅化物结构与该第一栅极介电结构间隔开来，且该第一硅化物结构不调整该N型晶体管的该栅极电极的该功函数值；以及

一P型晶体管，包括：

一第二栅极介电结构，设置于该基底之上；

一p型功函数金属层，设置于该第二栅极介电结构之上，该p型功函数金属层用于调整该P型晶体管的一栅极电极的一功函数值；以及

一第二硅化物结构，设置于该p型功函数金属层之上，该第二硅化物结构与该第二栅极介电结构间隔开来，且该第二硅化物结构不调整该P型晶体管的该栅极电极的该功函数值。

10.如权利要求9所述的集成电路，其中该P型晶体管还包括一第二n型功函数金属层设置于该p型功函数金属层与该第二硅化物结构之间。