[发明专利]9-芳基和双芳基取代的聚芴有效
申请号: | 201010213318.X | 申请日: | 2003-11-04 |
公开(公告)号: | CN101870765A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | J·伯勒斯;R·弗兰德;C·福登 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | C08G61/00 | 分类号: | C08G61/00;C08G61/02;C08G61/12;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 任宗华 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 双芳基 取代 | ||
1.一种制备聚合物的方法,该方法包括使下述第一单体与可与第一单体相同或不相同的第二单体在一定条件下进行反应以使单体聚合的步骤,所述第一单体包含任选地经取代的式(IV)化合物
式中每个P各自代表可聚合基团,Ar选自:
(a)经至少一个吸电子基团取代的芳族烃或
(b)吸电子杂芳基。
2.根据权利要求1的方法,所述第一单体包含任选地经取代的式(V)化合物:
式中每个P各自代表可聚合基团。
3.根据权利要求1或2的方法,其中每个P各自是选自硼酸基团、硼酸酯基团和硼烷基团的活性硼衍生物基团以及活性卤化物基团。
4.根据权利要求1的方法,该方法包括使下列反应混合物聚合:
(a)根据权利要求3的单体,其中每个P是选自硼酸基团、硼酸酯基团和硼烷基团的硼衍生物官能基,与具有至少两个活性卤化物官能基团的芳族单体;或
(b)根据权利要求3的单体,其中每个P是活性卤化物官能基团,与具有至少两个选自硼酸基团、硼酸酯基团及硼烷基团的硼衍生物官能基团的芳族单体;或
(c)根据权利要求3的单体,其中一个P是活性卤化物官能基团,一个P是选自硼酸基团、硼酸酯基团和硼烷基团的硼衍生物官能基团,
其中反应混合物包含催化量的适用于催化芳族单体聚合的催化剂和足量的以使硼衍生物官能基团转变为硼酸根阴离子基团的碱。
5.根据权利要求1或2的方法,其中每个Ar各自选自以式(III)表示的单元:
式中n为1-3,R1-R5各自选自:
氢;
选自烷基、烷氧基、芳基烷基和杂芳基烷基的增溶基;以及
吸电子基团
以使R1-R5至少一个为吸电子基团。
6.根据权利要求1或2的方法,其中Ar是经至少一个吸电子基团取代的苯基或低聚苯基,该至少一个吸电子基团选自:含氟、氰基或硝基的基团。
7.根据权利要求6的方法,其中至少一个吸电子基团选自氟原子、氟代烷基、氟代芳基和氟代杂芳基。
8.根据权利要求1或2的方法,其中Ar是选自任选地经取代的吡啶和三嗪的吸电子杂芳基团。
9.根据权利要求1或2的方法,其中所述聚合物包含第二重复单元。
10.根据权利要求9的方法,其中第二重复单元选自三芳基胺和杂芳族化合物。
11.根据权利要求1或2的方法,其中所述聚合物能够传递电子。
12.根据权利要求11的方法,其中所述聚合物包含至少一种能传递和/或发射空穴的链段。
13.权利要求1-12任一项的方法制备的聚合物,包含任选地经取代的以式(I)表示的第一重复单元
式中Ar选自:
(a)经至少一个吸电子基团取代的芳族烃或
(b)吸电子杂芳基。
14.根据权利要求13的聚合物,包含以式(II)表示的重复单元:
式中每个Ar各自选自:
(c)经至少一个吸电子基团取代的芳族烃,或
(d)吸电子杂芳基。
15.根据权利要求13或14的聚合物,其中每个Ar各自选自以式(III)表示的单元:
式中n为1-3,R1-R5各自选自:
氢;
选自烷基、烷氧基、芳基烷基和杂芳基烷基的增溶基;以及
吸电子基团
以使R1-R5至少一个为吸电子基团。
16.根据权利要求13或14的聚合物,其中Ar是经至少一个吸电子基团取代的苯基或低聚苯基,该至少一个吸电子基团选自:含氟、氰基或硝基的基团。
17.根据权利要求16的聚合物,其中至少一个吸电子基团选自氟原子、氟代烷基、氟代芳基和氟代杂芳基。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于剑桥显示技术有限公司,未经剑桥显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010213318.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:生化回收第二代座便器及配套装置
- 下一篇:内外锁芯防盗锁胆