[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器无效
申请号: | 201010213606.5 | 申请日: | 2010-06-30 |
公开(公告)号: | CN101923829A | 公开(公告)日: | 2010-12-22 |
发明(设计)人: | 高孝裕;邱勇;黄秀颀;魏朝刚;李俊峰 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
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地址: | 215300 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有源 矩阵 有机 发光 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器,尤其涉及一种具有能抑制薄膜晶体管特性漂移、延长显示器寿命的驱动电路的有源矩阵有机发光显示器。
背景技术
近年来,由于重量轻、体积小等优点,平板显示器尤其是液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)在移动手机、数码相机、笔记本电脑以及平板电视等显示终端中被广泛地使用。由于具有优于LCD的亮度、视角性能、响应速度和显示效果,OLED被公认为下一代平板显示器,特别是主动矩阵有机发光显示器(AMOLED)的优点更为突出。AMOLED通过在薄膜晶体管(TFT)阵列基板上形成OLED像素器件实现发光显示功能。通常在玻璃基板上制备TFT阵列基板,目前有多种类型的器件被尝试,包括非晶硅(a-Si)TFT、低温多晶硅(LTPS)TFT以及微晶硅(u-Si)TFT等。由于驱动OLED器件的TFT栅极长期置于正向偏置状态,沟道有电流流过,导致电荷被俘获在栅绝缘层中,并且在沟道半导体层中产生缺陷态,使TFT阈值电压发生漂移。对于上述a-Si TFT、LTPS TFT与u-Si TFT均会发生器件特性的漂移,其中尤以a-Si TFT最为严重。如果不采取措施消除这种漂移,发生特性漂移的TFT驱动OLED的电流会下降,引起显示器件亮度降低,将导致器件过早失效。因此抑制TFT特性漂移是保证AMOLED画质,延长器件寿命的重要措施。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光显示器,以解决TFT特性漂移、显示器寿命降低的问题。
本发明的目的是通过如下技术方案予以实现的:
本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器,包括配置于基板上呈矩阵排列的多个像素单元;作用于各像素单元的驱动电路,包括配置于驱动输出处的电流测量计,用于实现对相应列各个像素所需电流的实时检测并产生检测信号;和响应于该检测信号的控制器,用于计算作用于各像素单元的数据输入信号并将该数据输入信号施加到用于驱动各像素单元的数据线端,从而补偿各像素单元的输出的变化。
上述控制器进一步包括用于比较所述检测信号与参考电流的比较器,并产生校正信号;还包括响应于所述校正信号的查询表,用于处理该校正信号并产生作用于各像素单元且与输入显示数据对应灰阶的数据输入信号。
本发明技术方案能够有效解决TFT特性漂移的问题,提高显示器寿命,同时采用简化的设计,降低驱动电路改造成本。
附图说明
图1为现有技术的像素驱动电路结构图;
图2为本发明的驱动电路原理图;
图3为图2所示的像素驱动电路结构图。
具体实施方式
为让本发明的上述内容更明显易懂,下文特举较佳实施例,并结合附图作详细说明如下。
图1为现有技术的像素驱动电路结构图,如图所示,该像素结构包括,一扫描线(Vsel)101,一数据线(VSD)102,一驱动线(VDD)103,一开关薄膜晶体管(T1)104、一驱动薄膜晶体管(T2)105、一储存电容(Cs)106和一OLED发光器件107。图中所示虚线区域为像素区域,每个像素接收VSD的数据信号,并由VDD驱动发光,但当驱动薄膜晶体管T2出现特性漂移后,该像素驱动电路并不能对此作出任何反应,因此显示亮度会降低,显示器件寿命将缩短。
实施例
图2为本发明的驱动电路原理图。如图2所示,本发明在VDD 201的驱动输出处增加一个电流测量计202,像素电路通过Vsel栅极驱动电路203,根据时序依次打开某行像素上的栅极,通过VSD 204提供像素所需的数据电压信号,由VDD 201为像素单元205提供驱动电流。本发明通过设置在VDD 201全部或部分列上的驱动输出处的电流测量计202,即可实现对相应列像素所需电流的实时检测。更进一步如图3所示,图3为图2所示的像素驱动电路结构图,像素外围电路具有比较器302,用于比较电流测量计301输出的检测信号相对于参考电流的变化,比较器302输出信号反馈至查询表(LUT)303;显示数据304,用于输入不同灰阶的显示信号,与比较器302输出信号共同用于产生与输入显示数据对应灰阶的数据输入信号至数据线(VSD)305。
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