[发明专利]一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法

权利要求书

1.一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法是通过以下步骤实现的：一、在TC4钛基体上制备纳米二氧化钛薄膜：将TC4钛基体进行预处理去除表面氧化膜，然后将预处理后的TC4钛基体作为工作电极置于电解液中，铜片作为对电极，控制反应电压为10~30V，进行恒压阳极氧化20~120min，即在TC4钛基体上得到纳米二氧化钛薄膜，其中电解液组成为：5~6g/L的NH₄F和体积浓度为2%~5%的H₃PO₄溶液，溶剂为水；二、将经步骤一处理后的TC4钛基体放入管式炉内，然后将管式炉加热至300~600℃，保温1~3h，再随炉冷却即在TC4钛基体上得到改性后的二氧化钛薄膜光催化剂，即完成TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法。

2.根据权利要求1所述的一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于步骤一中将TC4钛基体进行预处理去除表面氧化膜的具体操作为：将氢氟酸和浓硝酸按照体积比为1：1的比例混合得混合酸溶液，然后将钛基体浸入混合酸溶液中，在混合酸溶液中停置1~2s，然后取出，用去离子水冲洗干净，然后再将钛基体浸入混合酸溶液中，停置1~2s，然后取出，重复上述操作1~4次。

3.根据权利要求1或2所述的一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于步骤一中控制反应电压为15~25V。

4.根据权利要求1或2所述的一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于步骤一中控制反应电压为20V。

5.根据权利要求3所述的一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于步骤一中进行恒压阳极氧化30~90min。

6.根据权利要求3所述的一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于步骤一中进行恒压阳极氧化60min。

7.根据权利要求1、2、5或6所述的一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于步骤一中电解液组成为：5g/L的NH₄F和体积浓度为3%的H₃PO₄溶液。

8.根据权利要求7所述的一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于步骤二中然后将管式炉加热至400~500℃。

9.根据权利要求1、2、5、6或8所述的一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于步骤二中保温1.5~2.5h。

10.根据权利要求1、2、5、6或8所述的一种TC4基体纳米二氧化钛薄膜光催化剂热处理表面改性方法，其特征在于步骤二中保温2h。