[发明专利]发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括：衬底及衬底上的发光外延叠层，所述发光外延叠层依次包括：n型界面层；n型界面层上的发光层；发光层上的p型界面层，其特征在于，所述p型界面层与所述发光层、n型界面层的面积相同；所述p型界面层上具有p电极；所述衬底的背面具有外接电极层；所述n型界面层的侧壁通过导电部与所述外接电极层电连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述n型界面层边缘的杂质离子浓度大于中心的杂质离子浓度。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述p型界面层上具有导电层，所述p电极位于所述导电层上。

4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导电层的材料为SnO₂、ITO、IZO、AZO中的一种。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光外延叠层与所述衬底间还具有缓冲层。

6.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管为蓝光发光二极管；所述缓冲层的材料为GaN；所述n型界面层的材料为n型掺杂的GaN；所述发光层的材料为GaN或InGaN；所述p型界面层的材料为p型掺杂的GaN。

7.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述导电部的材料为银胶、铝胶、银铝胶中的一种。

8.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述外接电极层为金属板。

9.一种发光二极管芯片的制造方法，包括：在衬底上形成发光外延叠层，依次包括：在衬底上形成n型界面层；在所述n型界面层上形成发光层；在所述发光层上形成p型界面层，

其特征在于，还包括：

对具有所述发光外延叠层的衬底进行划片；

将划片后的衬底背面与外接电极层粘接，以及在划片后的n型界面层的侧壁形成导电部，所述导电部使得所述n型界面层与所述外接电极层电连接；

在划片后的p型界面层上形成p电极。

10.如权利要求9所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，在衬底上形成n型界面层包括：

在衬底上形成第一界面层；

对所述第一界面层进行第一次n型离子注入，形成第一n型界面层；

在第一n型界面层上遮盖掩模层，并对第一n型界面层继续进行n型离子注入，使得所述n型界面层边缘的杂质离子浓度大于中心的杂质离子浓度。

11.如权利要求9所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，在衬底上形成n型界面层之前，在衬底上先形成缓冲层。

12.如权利要求9所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，在划片之前，在所述发光外延叠层上形成导电层。

13.如权利要求12所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述导电层的材料为SnO₂、ITO、IZO、AZO中的一种。

14.如权利要求9所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述外接电极层为金属板；

将划片后的衬底背面与外接电极层粘接，以及在划片后的n型界面层的侧壁形成导电部包括：

将划片后的衬底背面与金属板粘接；

在自衬底至n型界面层的侧壁上涂覆导电材料。

15.如权利要求14所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述导电材料为银胶、铝胶、银铝胶中的一种。

16.如权利要求9所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述划片为机械划片、激光划片或水导激光划片。