[发明专利]一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料以及配置方法

权利要求书

1.一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料，包括氮化硅粉体，溶剂，其特征在于：氮化硅粉体经过氧化剂处理后得到表面覆有包裹型的氧化硅的氮化硅粉体。

2.如权利要求1所述的一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料，其特征在于：所述的氧化剂的标准电极电位大于或等于0.6V。

3.如权利要求1所述的一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料，其特征在于：所述的氧化剂的标准电极电位大于或等于1.2V。

4.如权利要求1所述的一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料，其特征在于：所述的氧化剂可以是双氧水、臭氧、浓硫酸、硝酸、铬酸钾、高锰酸钾的任意一种或一种的混合物。

5.如权利要求1所述的一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料，其特征在于：所述的氧化剂是双氧水或臭氧或双氧水的臭氧混合。

6.如权利要求1所述的一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料，其特征在于：所述的氮化硅、氧化剂以及溶剂的重量百分比为10-30％∶0-30％∶40-90％。

7.如权利要求1所述的一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料，其特征在于：所述的氮化硅粉体颗粒的粒径可以为10nm～50μm，也可以是粒径＜10nm的颗粒与粒径为10nm～50μm的颗粒的混合，其中粒径＜10nm的颗粒的重量比为0-50％。

8.权利要求1所述的一种多晶硅坩埚涂层制备用浆料，其特征在于：所述的溶剂可以是水，也可以是水与乙醇、丙醇的混合物。

9.如权利要求1-8所述的多晶硅坩埚涂层制备用浆料的配置方法，其特征在于：其操作步骤为：称取一定重量的氮化硅粉体，将氮化硅粉体与氧化剂以及溶剂混合，氮化硅、氧化剂以及溶剂的重量百分比为10-30％∶1-30％∶40-89％，连续搅拌状态下反应1-24小时，得到多晶硅坩埚涂层制备用浆料。

10.如权利要求8所述的多晶硅坩埚涂层制备用浆料的配置方法，其特征在于：连续搅拌状态下反应1-24小时后，排出浆料中液体后，再将经氧化剂处理后的氮化硅粉体与重量百分比为50-90％的溶剂混合均匀，得到多晶硅坩埚涂层制备用浆料。