[发明专利]用于非电解镀覆的预处理液

说明书

本发明涉及一种用于非电解金属镀覆中的预处理液，特别是用于预处理印刷线路基底的树脂基底，以及用于印刷线路基底的制造方法。

印刷线路基底中的层与层之间的电气连接通常通过被称作通孔的精细的透过孔来实现。作为一种在该通孔(玻璃布/树脂部分)里面形成电传导层的方法，在使用含有阳离子表面活性剂的预处理液(调节剂)预处理后通常使用湿法，该湿法中使用包括含有钯作为主要成分的催化剂的非电解镀覆方法来形成镀层。此外，利用高性能绝缘树脂材料的增层法(bulid-up process)被用在以高性能半导体封装基底为代表的高密度印刷线路基底上，加成法，特别是半加成法，用作线路的形成方法，其中使用非电镀铜板作为种子层。

为了改进湿法中树脂基底和电传导层的粘附性，在使用含有溶剂作为主要组分的处理液来实施树脂的膨胀步骤之后，使用包括含有高锰酸盐作为主要组分的处理液进行粗化步骤来氧化和分解树脂以形成粗糙的外形。随后利用中和步骤，除去锰，以通过一系列除污/粗化步骤，形成锚刺(anchor)。使用预处理和通过催化传递(catalyst imparting)步骤的非电解镀覆处理来进行随后的调节步骤，并形成粘合的电传导层。作为非电解镀覆催化剂，具有优异催化活性的钯得到广泛使用。通过在催化剂溶液(Sn·Pd胶状混合物)中浸渍树脂基底，Sn·Pd胶状混合物被吸附在树脂基底的表面上。促进剂处理活化了催化剂，并且通过非电解镀覆处理在树脂基底表面上形成电传导层。

但是，当树脂基底表面的粗糙度下降并且基底和金属层之间的粘附力下降时，在主要依赖于固着效应的粘合过程中获得良好粘合的镀层是困难的。此外，预处理液中的酸、碱以及阳离子表面活性剂，树脂材料等的类型广泛地影响粘附力。伴随着IC集成电路片性能的改进，增加的信号速度和频率尤其影响高性能半导体封装，以及正在寻求封装基底中线路的小型化和具有平的表面的线路。但是，在半加成法中的传统的非电解铜镀覆方法很难形成良好粘附在下述表面上的电传导层，该表面不够粗糙并且其对材料表面能变成的平的程度是有限制的。基于背景信息，强烈的需要开发表面处理方法和非电解镀覆方法，该非电解镀敷能够赋予基底和金属层间优异粘结强度而树脂材料和树脂表面粗糙度不影响其结果。

在专利参考文献1，未审查的日本专利申请2003-338683中，披露了一种线路基底的制造方法，其中通过以下步骤来形成指定厚度的金属层：使在包括含有例如SiO₂颗粒等的颗粒添加剂的电绝缘树脂的树脂层上的具有导线分布图的表面经受例如等离子处理等亲水性改进处理，通过随后将该树脂层与氢氟酸化合物溶液接触来移除存在于上述提及的导线分布图形成表面附近的该颗粒的添加剂以实施玻璃蚀刻处理，并且接着实施非电解镀覆和电解镀覆。但是，该专利参考文献1中所描述的方法需要等离子处理、臭氧处理以及电晕放电处理等来产生亲水表面，因需要特别的装置。

在专利参考文献2，日本专利国内的公告H06-505770中，描述了一种在所述基底上实施金属涂覆之前，用来清洁和调制(condition)非金属基底的溶液，其含有(a)约10g/L～50g/L的多磷酸钠，(b)0～约5g/L的钠-EDTA，(c)约5g/L～20g/L的磷酸三钾，(d)0.5g/L～约2g/L的ANTAROX^TMBL300，(e)0～约2g/L的SYNPERONIC^TMNP-10，(f)约1g/L～5g/L的基于咪唑衍生物的季铵化合物，以及(g)0～约2g/L的二氟化(氢？)铵，并用无机酸将pH调节成约1.0～4.0。但是，该专利参考文献2根本没有关注粘附力，并且即使加入该专利参考文献2所述的量的二氟化氢铵，如之后比较例中所描述的，其也没有获得足够的粘附力。

在专利参考文献3，未审查的日本专利申请2002-38197中，描述了一种设计用来从基底上移除聚合物质的组合物，该组合物含有一种或多种乙二醇醚、水、氟化物盐和任选的添加剂。但是，该专利参考文献3并没有描述本发明的预处理液以及印刷线路基底的制造方法。

本发明的目的是提供一种当金属非电解镀覆树脂基底时，用于非电解镀覆的预处理液，以便能够获得很好的粘附于该树脂基底上不太粗糙表面上的金属镀层，而不需要实施干燥粘合提升预处理过程或形成金属层，以及提供一种使用上述提及的预处理液的表面处理方法、一种金属镀层形成方法和一种印刷线路基底的制造方法。

本发明人发现，通过在预处理液中存在阳离子聚合物、水和规定量的二氟化合物盐能够解决上面所述的问题，并且基于该发现完成本发明。