[发明专利]半导体装置及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

多个泵控制单元，所述多个泵控制单元分别位于多个芯片中并通过第一贯穿硅通孔、即第一TSV串联连接，并被配置为将周期信号顺序地延迟、传送延迟周期信号、并基于所述周期信号或所述延迟周期信号来产生泵控制信号；以及

多个电压泵单元，所述多个电压泵单元分别位于所述多个芯片中，并被配置为响应于从所述多个泵控制单元产生的所述泵控制信号来产生泵浦电压。

2.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：

控制信号发生块，所述控制信号发生块被配置为检测所述泵浦电压的电平，并产生使能信号和所述周期信号。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述使能信号通过第二TSV输入到所述多个泵控制单元。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述控制信号发生块被设置在在所述多个芯片中的一个芯片中。

5.如权利要求3所述的半导体装置，其中，所述多个泵控制单元中的每个都被配置为当所述使能信号被使能时，产生所述泵控制信号。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个芯片通过第三TSV共享所述泵浦电压。

7.一种用于控制半导体装置的方法，包括以下步骤：

通过TSV将延迟周期信号传送到多个芯片，所述延迟周期信号是通过将周期信号顺序地延迟预定的时间而获得的；

在所述多个芯片中，根据通过所述TSV传送的所述延迟周期信号来产生泵控制信号；以及

响应于所述泵控制信号来产生泵浦电压。

8.如权利要求7所述的方法，其中，在将所述延迟周期信号传送到所述多个芯片的步骤之前，所述方法还包括以下步骤：

通过其他的TSV将使能信号传送到所述多个芯片。

9.如权利要求8所述的方法，其中，产生所述泵控制信号的步骤包括：

当所述使能信号被使能时，基于所述周期信号或所述延迟周期信号来产生所述泵控制信号。

10.如权利要求8所述的方法，还包括以下步骤：

检测所述泵浦电压的电平，并根据检测结果将所述使能信号使能。

11.一种具有第一和第二芯片的半导体装置，包括：

第一泵控制单元，所述第一泵控制单元位于所述第一芯片中，并被配置为接收周期信号、通过将所述周期信号延迟预定的时间来产生延迟周期信号、并基于所述周期信号来产生第一芯片泵控制信号；

第一电压泵单元，所述第一电压泵单元被配置为响应于所述第一芯片泵控制信号来产生泵浦电压；

第二泵控制单元，所述第二泵控制单元位于所述第二芯片中，并被配置为基于所述延迟周期信号来产生第二芯片泵控制信号；以及

第二电压泵单元，所述第二电压泵单元被配置为响应于所述第二芯片泵控制信号来产生所述泵浦电压。

12.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述延迟周期信号通过第一TSV被传送到所述第二泵控制单元。

13.如权利要求11所述的半导体装置，还包括：

控制信号发生块，所述控制信号发生块被配置为检测所述泵浦电压的电平，并产生使能信号和所述周期信号。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其中，所述控制信号发生块位于所述第一芯片中。

15.如权利要求13所述的半导体装置，其中，所述使能信号通过第二TSV被传送到所述第一和第二泵控制单元。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其中，所述第一泵控制单元和所述第二泵控制单元被配置为当所述使能信号被使能时，产生所述第一芯片泵控制信号和所述第二芯片泵控制信号。

17.如权利要求11所述的半导体装置，其中，所述第一芯片和所述第二芯片通过第三TSV共享所述泵浦电压。