[发明专利]半导体存储装置的位线预充电电压发生电路

权利要求书

1.一种半导体存储装置的位线预充电电压发生电路，包括：

下拉比较信号发生块，被配置为将分压的电平与位线预充电电压的电平进行比较并产生下拉比较信号，其中，所述分压是通过对内部电压进行分压而产生的，并且与在非刷新操作期间相比，在刷新操作期间，所述下拉比较信号发生块使所述下拉比较信号的使能过渡时间减少得更多；和

下拉控制块，被配置为当所述下拉比较信号被使能时，使所述位线预充电电压的电平降低，其中，与在所述非刷新操作期间相比，在所述刷新操作期间，所述下拉控制块使所述位线预充电电压的电平更快地降低。

2.如权利要求1所述的位线预充电电压发生电路，其中，所述下拉比较信号发生块包括：

比较单元，被配置为将所述分压的电平与所述位线预充电电压的电平进行比较并产生所述下拉比较信号；和

电流供给控制单元，被配置为与在所述非刷新操作期间相比，在所述刷新操作期间，向所述比较单元提供更大量的供电电流。

3.如权利要求2所述的位线预充电电压发生电路，其中，所述电流供给控制单元包括：

固定电流供给部，被配置在所述刷新操作期间和所述非刷新操作期间，向所述比较单元提供固定电流；和

刷新电流供给部，被配置为在所述刷新操作期间向所述比较单元提供刷新电流，

其中，所述供电电流包括所述固定电流和所述刷新电流。

4.如权利要求1所述的位线预充电电压发生电路，其中，所述下拉控制块包括：

下拉单元，被配置为在所述刷新操作期间和所述非刷新操作期间，当所述下拉比较信号被使能时，使所述位线预充电电压的电平降低；和

可变下拉单元，被配置为在所述刷新操作期间，当所述下拉比较信号被使能时，使所述位线预充电电压的电平降低。

5.一种半导体存储装置的电压发生电路，包括：

分压块，被配置为对内部电压进行分压并产生第一分压和第二分压，其中，所述第二分压的电平高于所述第一分压的电平；

上拉放大块，被配置为将所述第一分压的电平与位线预充电电压线上的所述位线预充电电压的电平进行比较，并使所述位线预充电电压的电平升高；和

下拉放大块，被配置为将所述第二分压的电平与所述位线预充电电压的电平进行比较，并且使所述位线预充电电压的电平降低。

6.如权利要求5所述的电压发生电路，其中，与在非刷新操作期间相比，在刷新操作期间，所述下拉放大块使所述位线预充电电压的电平更快地降低到目标电平。

7.如权利要求6所述的电压发生电路，其中，所述下拉放大块包括：

比较单元，被配置为将所述第二分压的电平与所述位线预充电电压的电平进行比较并产生下拉比较信号；

电流供给控制单元，被配置为与在所述非刷新操作期间相比，在所述刷新操作期间，向所述比较单元提供更大量的供电电流；

下拉单元，被配置为响应于所述下拉比较信号而使所述位线预充电电压的电平降低；和

可变下拉单元，被配置为在所述刷新操作期间，响应于所述下拉比较信号而使所述位线预充电电压的电平降低。

8.如权利要求7所述的电压发生电路，其中，所述电流供给控制单元包括：

固定电流供给部，被配置为向所述比较单元提供固定电流；和

刷新电流供给部，被配置为在所述刷新操作期间，向所述比较单元提供刷新电流，

其中，所述供电电流包括所述固定电流和所述刷新电流。

9.如权利要求7所述的电压发生电路，其中，所述可变下拉单元响应于刷新信号和所述下拉比较信号而将所述位线预充电电压线连接到接地端子。

10.如权利要求6所述的电压发生电路，其中，所述上拉放大块包括：

比较单元，被配置为将所述第一分压的电平与所述位线预充电电压的电平进行比较，并产生上拉比较信号；和

上拉单元，被配置为响应于所述上拉比较信号而将所述内部电压施加到所述位线预充电电压线。