[发明专利]等离子体显示装置无效

专利信息
申请号: 201010216242.6 申请日: 2006-07-04
公开(公告)号: CN101887683A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 金泽义一;藤崎隆 申请(专利权)人: 日立等离子显示器股份有限公司
主分类号: G09G3/28 分类号: G09G3/28
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 等离子体 显示装置
【说明书】:

本案是申请日为2008年10月27日、申请号为200680054404.2、发明名称为“等离子体显示装置”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及等离子体显示面板(PDP)及其显示装置(等离子体显示装置:PDP装置),特别是涉及驱动电路(驱动器)的实际安装结构。

背景技术

PDP装置,从显示面积和显示容量、特别是响应性能的优越性来看,被期待作为能够实现全色大画面显示的显示装置。现在,作为直视型的显示装置,实现从在其它的设备中无法实现的40型到60型以上的大画面。

在现有的PDP装置中,作为驱动器的用于扫描电极(Y电极)的扫描驱动的扫描驱动器,例如以64位输出等的单位集成化,由基板(扫描驱动器基板)上的多个IC(扫描驱动器IC)构成。此外,在40型~60型的大画面的PDP装置的情况下,一般将扫描驱动器分成上下两个扫描驱动器基板和IC组并进行实际安装。

作为PDP的驱动器以及其IC(驱动器IC)与PDP电极端子的连接的构成例,有使在多个IC之中最上部的IC的一部分为未使用(即没有与PDP电极端子连接)状态从而降低IC的耗电量,实现装置配置中的上侧位置的IC的温度的降低的情况(参照后述的图11)。例如在Y电极的总数与多个扫描驱动器IC的输出位数的总和不一致的情况下,使该IC的一部分输出处于未使用状态。关于这样的现有技术例,在日本特开2002-304151号公报(专利文献1)中有所记载。此外,作为与其相关联以及类似的构成例,也存在将PDP电极数与总IC输出位数的差的多余部分,分开分配给装置配置中的最上部和最下部的IC的构成例。

专利文献1:日本特开2002-304151号公报

发明内容

在上述的现有PDP装置中的扫描驱动器等的驱动器的电路实际安装结构的情况下,在一般的装置配置中,在多个IC(驱动器IC)中,第一(最初)的IC侧位于PDP装置的上侧(高侧),最后的IC侧位于下侧(低侧)。为了使IC与耗电量对应进行发热,需要考虑其温度和放热的装置设计。关于IC的温度的主要原因,除了IC的自身发热之外,存在相邻IC的影响、PDP装置内的温度上升的影响等。下侧的IC主要由于该IC本身的自身发热而引起温度上升,但上侧的IC,受到下侧的相邻IC的发热的影响、在PDP装置内一般上侧温度增高的影响,在温度方面处于严峻的状态。

在上述扫描驱动器的一般的结构中,在多个IC之中,在上侧IC组中,特别是从最上数第二个位置的IC,最容易受到关于上述温度的影响,在所有的IC之中变得温度最高。例如在图11的现有技术例中,与第二的IC(#2)相比第一(最上位)的IC(#1),由于不存在与其上侧相邻的IC,来自相邻IC的发热的影响仅为来自下侧的,在温度方面并第二的IC(#2)更有利。因此,第二的IC(#2)温度变得最高。这样,现有的PDP装置的驱动器的一般结构,特别是在图11那样的现有技术例中,存在在温度等性能方面不很期待效果的情况。

此外,作为上述驱动器中的各个IC搭载有在电方面同等的IC,但特别是由于第二的IC(#2)温度变得最高,需要相对于扫描驱动器格外附加放热板等的用于放热的对策。

本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种与PDP装置中的扫描驱动器等(Y电极驱动部)的驱动器的电路安装结构相关,在基板和多个IC配置结构中的特别是包括从最上数第二的位置的IC的区域中,能够确保或提高耗电量和温度的性能。

在本申请所揭示的发明中,如果对具有代表性的部分的概要进行简单说明,则如下所述。为了达到上述目的,本发明是具备PDP和其驱动以及控制用的电路部的PDP装置的技术,其特征在于具备以下所示的技术性手段。

(1)在本发明的PDP装置中,在扫描驱动器等的Y电极驱动部的电路安装结构中,至少在配置于从最上部数第二的扫描驱动器IC(第二的IC)中,采用不是使用其输出位的全部而是仅使用一部分(与Y电极的端子连接)的结构。由此,能够降低IC每一个的耗电量,实现包括该第二的IC的区域的温度的降低。

(2)此外,在扫描驱动器分为搭载有多个IC的多个基板(至少上下两个基板)的情况下,上侧的基板比下侧的基板大,即以每IC的面积等增大的方式构成。又或者是,采用将搭载于基板的IC的安装间隔作成上侧的基板比下侧的基板宽的结构。由此,实现包括第二IC的区域的温度的降低。

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