[发明专利]影像感测元件及其制造方法

权利要求书

1.一种影像感测元件，包括：

基底，具有第一导电型态；

外延层，具有所述第一导电型态，位于所述基底上，其中所述外延层包括对应于第一入射光的第一像素区和对应于第二入射光的第二像素区，其中所述第一入射光的波长大于所述第二入射光的波长；

光二极管，设置于所述外延层的上部部分；

用来减少所述影像感测元件的像素至像素间串扰的第一深阱，位于所述第二像素区中所述外延层的下部部分，其中所述外延层的至少部分第一像素区中不包括所述第一深阱。

2.如权利要求1所述的影像感测元件，还包括对应于第三入射光的第三像素区，其中所述第二入射光的波长大于所述第三入射光的波长，且用来减少所述影像感测元件的像素间串扰的第一深阱，亦位于所述第三像素区中外延层的下部部分。

3.如权利要求2所述的影像感测元件，其中所述第一入射光是红色光、所述第二入射光是绿色光，及所述第三入射光是蓝色光。

4.如权利要求2所述的影像感测元件，其中所述第一深阱具有所述第一导电型态，且所述影像感测元件还包括有所述第二导电型态的第二深阱，位于所述第一深阱下。

5.如权利要求4所述的影像感测元件，其中所述第一导电型态是P型，所述第二导电型态是N型。

6.如权利要求2所述的影像感测元件，其中所述第二深阱至少设置于所述第二像素区和所述第三像素区，且至少部分所述第一像素区不包括所述第二深阱。

7.如权利要求1所述的影像感测元件，其中所述第一导电型态是N型。

8.如权利要求4所述的影像感测元件，其中所述第二深阱至少设置于所述第一、第二和第三像素区中，且所述第一像素区不包括所述第一深阱的部分，但包括所述第二深阱。

9.如权利要求2所述的影像感测元件，其中所述第一深阱具有第二导电型态，且所述影像感测元件还包括具有所述第一导电型态的第二深阱，大体上位于所述第一深阱上。

10.如权利要求9所述的影像感测元件，其中所述第二深阱至少设置于所述第一、第二和第三像素区中，且所述第一像素区不包括所述第一深阱的部分，但包括所述第二深阱。

11.如权利要求1所述的影像感测元件，其中不包括所述第一深阱的区域的尺寸小于所述第一像素区的尺寸。

12.如权利要求1所述的影像感测元件，其中不包括所述第一深阱的区域的尺寸大于所述第一像素区的尺寸。

13.如权利要求1所述的影像感测元件，其中所述光二极管包括第二导电型态的阱和所述第一导电型态的钉扎层。

14.如权利要求2所述的影像感测元件，其中所述第一、第二和第三像素区间是以隔离结构分隔，且所述隔离结构下方包括隔离阱。

15.一种影像感测元件的制作方法，包括：

提供基底，具有第一导电型态；

形成具有所述第一导电型态的外延层于所述基底上，其中所述外延层包括对应于第一入射光的第一像素区、对应于第二入射光的第二像素区和对应于第三入射光的第三像素区，其中所述第一入射光的波长大于所述第二入射光的波长，所述第二入射光的波长大于所述第三入射光的波长；

使用掩模，进行注入工艺，形成第一深阱于所述外延层的下部部分，用来减少所述影像感测元件的像素间串扰，其中所述掩模对应于所述第一像素区的部分具有盖层，但对应于所述第二和第三像素区的部分暴露，所以所述注入工艺可于所述外延层的第二和第三像素区形成所述第一深阱，所述外延层至少部分所述第一像素区中不包括所述第一深阱；以及

形成光二极管，于所述外延层的上部部分；

16.如权利要求15所述的影像感测元件的制作方法，其中所述第一入射光是红色光、所述第二入射光是绿色光，且所述第三入射光是蓝色光。

17.如权利要求15所述的影像感测元件的制作方法，还包括形成第二深阱于所述外延层的下部部分的第一深阱下，其中所述第一深阱是第一导电型态，所述第二深阱是第二导电型态。

18.如权利要求17所述的影像感测元件的制作方法，其中所述第一导电型态是P型，所述第二导电型态是N型。